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1. (WO2001004878) TETE A EFFET DE RESISTANCE MAGNETIQUE, PROCEDE DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE REPRODUCTION D'INFORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/004878    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/003670
Date de publication : 18.01.2001 Date de dépôt international : 07.07.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.02.2000    
CIB :
G11B 5/31 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku Kawasaki-shi Kanagawa 211-8588 (JP) (Tous Sauf US).
HASHIMOTO, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANAMINE, Michiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMAMURA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AOSHIMA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HASHIMOTO, Junichi; (JP).
KANAMINE, Michiaki; (JP).
IMAMURA, Takahiro; (JP).
AOSHIMA, Kenichi; (JP)
Mandataire : YAMADA, Masaki; Kosugi & Yamada Pelecan Building 4th floor 3-3, Nishi-shimbashi 3-chome Minato-ku Tokyo 105-0003 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, METHOD FOR PRODUCING MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, AND INFORMATION REPRODUCING DEVICE
(FR) TETE A EFFET DE RESISTANCE MAGNETIQUE, PROCEDE DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE REPRODUCTION D'INFORMATION
Abrégé : front page image
(EN)A magnetoresistance effect head for well reproducing information recorded on a recorded medium at high recording density while suppressing Barkhausen noise, comprising a magnetoresistance effect device which is made up of a flat multilayer film including a lowermost free magnetic layer in which the direction of magnetization changes depending on the external magnetic field and exhibits a resistance change depending on the strength of the external magnetic field, a nonmagnetic substrate, an insulating layer in contact with the central portion of the lower surface of the free magnetic layer on the substrate side, a couple of electrode layers in contact with both respective ends of the lower surface of the free magnetic layer on the substrate side, formed with the insulating layer therebetween, flush with the surface of the insulating layer, and adapted for allowing a current to flow through the magnetoresistance effect device, and a couple of magnetic domain wall control layer so formed as to extend with the magnetic resistance effect device therebetween and adapted for suppressing the domain wall displacement in the free magnetic layer.
(FR)L'invention concerne une tête à effet de résistance magnétique assurant une reproduction satisfaisante d'information enregistrée sur un support selon une densité d'enregistrement élevée, avec suppression du bruit Barkenhausen, qui comprend un dispositif à effet de résistance magnétique. Ce dispositif se présente sous la forme d'un film multicouche plat qui comprend une couche magnétique libre en position inférieure. Cette couche, à l'intérieur de laquelle le sens de magnétisation change en fonction du champ magnétique externe, offre une variation de résistance qui dépend de l'intensité du champ magnétique externe. Il existe en outre un substrat non magnétique, une couche d'isolation en contact avec la partie centrale de la surface inférieure de la couche magnétique libre du côté du substrat, deux couches électrodes en contact avec les deux extrémités respectives de la surface inférieure de la couche magnétique libre du côté du substrat, entre lesquelles se trouve la couche d'isolation, affleurant la surface de cette couche, qui permettent le passage d'un courant dans le dispositif à effet de résistance magnétique, et deux couches de contrôle de paroi de domaine magnétique co-étendues avec le dispositif, entourant celui-ci, qui permettent de supprimer le déplacement de paroi de domaine dans la couche magnétique libre.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)