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1. (WO2001004707) PROCEDE D'ELIMINATION D'UN PHOTORESIST UTILISANT UN PLASMA GAZEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/004707    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/006603
Date de publication : 18.01.2001 Date de dépôt international : 13.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.01.2001    
CIB :
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; Mail Stop 68, One AMD Place, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : YOU, Lu; (US).
AVANZINO, Steven, C.; (US).
BERTRAND, Jacques; (US).
HUANG, Richard, J.; (US)
Mandataire : RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
BROOKES & MARTIN; 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
09/349,055 07.07.1999 US
Titre (EN) PHOTORESIST REMOVAL PROCESS USING FORMING GAS PLASMA
(FR) PROCEDE D'ELIMINATION D'UN PHOTORESIST UTILISANT UN PLASMA GAZEUX
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit and a method of removing photoresist is described. The process described uses a low oxygen gas or non-oxygen forming gas plasma that removes the photoresist (26) and provides a protective surface layer over the low-k dielectric material (22) exposed at sidewalls of etched via (32). The low-k dielectric material (22), preferably HSQ, BCB or the like, is part of a dielectric stack (20, 22, 24). After exposure to the gas plasma, preferably comprising H2+N2+CF4, the integrated circuit is subjected to solvent to remove residual photoresist, and a degas step.
(FR)L'invention concerne un circuit intégré et un procédé d'élimination d'un photorésist, ce procédé consistant tout d'abord à utiliser un gaz à faible teneur en oxygène ou un plasma gazeux exempt d'oxygène pour éliminer le photorésist (26) et former une couche superficielle protectrice sur un corps diélectrique à faible constante diélectrique (22), lequel est exposé sur les parois latérales d'une traversée gravée (32). Ce corps diélectrique à faible constante diélectrique (22), qui est de préférence HSQ, BCB ou similaire, fait partie d'un empilement diélectrique (20, 22, 24). Le procédé de cette invention consiste ensuite à exposer le circuit intégré au plasma gazeux, qui renferme de préférence H2+N2+CF4, puis à le soumettre à un solvant afin d'éliminer les restes du photorésist, et enfin à lui faire subir une étape de dégazage.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)