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1. (WO2001003207) DETECTEUR MONOLITHIQUE A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/003207    N° de la demande internationale :    PCT/IB2000/000958
Date de publication : 11.01.2001 Date de dépôt international : 03.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.01.2001    
CIB :
H01L 27/144 (2006.01), H01L 31/115 (2006.01)
Déposants : EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH [--/CH]; CH-1211 Geneva 23 (CH) (Tous Sauf US).
UNIVERSITÄT BERN (LABORATORIUM FÜR HOCHENERGIEPHYSIK) [CH/CH]; Sidlerstrasse 5, CH-3012 Bern (CH) (Tous Sauf US).
PALMIERI, Vittorio [IT/FR]; (FR) (US Seulement).
CASAGRANDE, Luca [IT/FR]; (FR) (US Seulement).
SNOEYS, Walter, Jan, Maria [BE/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : PALMIERI, Vittorio; (FR).
CASAGRANDE, Luca; (FR).
SNOEYS, Walter, Jan, Maria; (FR)
Mandataire : KINSLER, Maureen, Catherine; Kilburn & Strode, 20 Red Lion Street, London WC1R 4PJ (GB)
Données relatives à la priorité :
9915433.8 01.07.1999 GB
Titre (EN) A MONOLITHIC SEMICONDUCTOR DETECTOR
(FR) DETECTEUR MONOLITHIQUE A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor radiation detector comprising a semiconductor substrate (30) on a front face of which are provided a first semiconductor well (31) and a second semiconductor well (36). The first well (31) forms a diode with the semiconductor substrate (30) and acts as a collector for collecting signals due to incident radiation. The second well (36) contains readout circuitry (37) that is connected to the collector (31), wherein a biasing contact (34) is provided for biasing the diode and the readout circuitry (37) is ac coupled to the collector (31).
(FR)Un détecteur de rayonnement à semi-conducteurs comprend un substrat (30) à semi-conducteurs sur la face avant duquel sont prévus des premier (31) et deuxième puits (36) à semi-conducteurs. Le premier puits (31) forme une diode avec le substrat (30) à semi-conducteurs et fait office de collecteur de signaux pour les signaux provoqués par le rayonnement incident. Le deuxième puits (36) contient un circuit de sortie (37) qui est connecté au collecteur (31), un contact (34) de sollicitation étant prévu pour solliciter la diode et le circuit de sortie (37) étant relié en couplage ac au collecteur (31).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)