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1. (WO2001003197) JONCTION A EFFET TUNNEL ET PROCEDE POUR CREER CETTE DERNIERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/003197    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/002034
Date de publication : 11.01.2001 Date de dépôt international : 23.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.11.2000    
CIB :
H01L 29/51 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St. Martin-Str. 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
WINTERS, Reiner [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WINTERS, Reiner; (DE)
Mandataire : EPPING - HERMANN & FISCHER; P.O. Box 12 10 26, 80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 30 531.5 01.07.1999 DE
Titre (DE) TUNNELKONTAKT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) TUNNEL CONTACT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) JONCTION A EFFET TUNNEL ET PROCEDE POUR CREER CETTE DERNIERE
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung umfaßt einen Tunnelkontakt und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Der Tunnelkontakt besteht aus einer ersten Elektrode (1), einer zweiten Elektrode (2) und einem Zwischenraum (3), der zwischen der ersten Elektrode (1) und der zweiten Elektrode (2) angeordnet ist. In dem Zwischenraum (3) befindet sich Gas oder Vakuum, so daß ein Strom, der zwischen der ersten Elektrode (1) und der zweiten Elektrode (2) fließt, das Gas beziehungsweise Vakuum durchtunnelt. Erfindungsgemäß kann der Tunnelkontakt in einem nichtflüchtigen Speicher (10) verwendet werden, um eine Speicherelektrode (11) mit Elektronen zu be- und entladen. Bei dem nichtflüchtigen Speicher (10) handelt es sich beispiels-weise um einen EPROM-artigen Speicher.
(EN)The invention relates to a tunnel contact and a method for the production thereof. The tunnel contact comprises a first electrode (1), a second electrode (2) and a gap (3) between the first (1) and second (2) electrode. Gas or a vacuum is located in the gap (3), whereby it is possible to create a flow between the first (1) and second (2) electrode which tunnels its way through the gas or vacuum. According to the invention, the tunnel contact can be used in a non-volatile memory (10) in order to charge and discharge a storage electrode (11) with electrodes. The non-volatile memory (10) can, for example, be an EPROM-type memory.
(FR)L'invention concerne une jonction à effet tunnel et un procédé pour créer cette dernière. La jonction à effet tunnel comprend une première électrode (1), une deuxième électrode (2) et une zone intermédiaire (3) située entre la première (1) et la deuxième électrode (2). Cette zone intermédiaire (3) contient un gaz ou est placée sous vide de sorte qu'un courant circulant entre la première électrode (1) et la deuxième électrode (2) traverse le gaz ou la zone sous vide par effet tunnel. Selon l'invention, cette jonction à effet tunnel peut être utilisée dans une mémoire non volatile (10) pour charger une électrode de mémoire (11) avec des électrons ou décharger cette dernière. La mémoire non volatile (10) utilisée se présente par exemple sous la forme d'une mémoire de type EPROM.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)