WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001003194) TRANSISTOR III-V A HETEROJONCTION, NOTAMMENT TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP HEMT OU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/003194    N° de la demande internationale :    PCT/FR2000/001806
Date de publication : 11.01.2001 Date de dépôt international : 28.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.12.2000    
CIB :
H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/205 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01)
Déposants : PICOGIGA [FR/FR]; Place Marcel Rebuffat, Parc de Villejust, F-91971 Courtaboeuf 7 Cedex (FR) (Tous Sauf US).
NUYEN, Linh, T. [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : NUYEN, Linh, T.; (FR)
Mandataire : DUPUIS-LATOUR, Dominique; Cabinet Bardehle, Pagenberg, Dost, Altenburg, Geissler, Isenbruck, 14, boulevard Malesherbes, F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
99/08487 01.07.1999 FR
Titre (EN) HETEROJUNCTION III-V TRANSISTOR, IN PARTICULAR HEMT FIELD EFFECT TRANSISTOR OR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR III-V A HETEROJONCTION, NOTAMMENT TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP HEMT OU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a heterojunction transistor comprising III-V semiconductor materials with a wide forbidden band material and a narrow forbidden band material. The narrow forbidden band material is a III-V compound containing gallium as one of the III elements and both arsenic and nitrogen as V elements, the nitrogen content being less than about 5 %, and the narrow forbidden band material comprising at least a fourth III or V element. The addition of said fourth element enables to adjust the width of the forbidden band, the discontinuity of the conduction band $g(D)Ec and the discontinuity of the valence band $g(D)Ev of the heterojunction. The invention is useful for producing HEMT field effect transistors with low forbidden band, therefore with high drain current. The invention is also useful for producing heterojunction bipolar transistors with low V¿BE?, therefore capable of functioning with low supply voltages.
(FR)Le transistor à hétérojonction comprend des matériaux semi-conducteurs III-V avec un matériau à grande bande interdite et un matériau à petite bande interdite. Le matériau à petite bande interdite est un composé III-V contenant le gallium comme l'un des éléments III et à la fois l'arsenic et l'azote comme éléments V, la teneur en azote étant inférieure à 5 % environ, et le matériau à petite bande interdite comporte au moins un quatrième élément, III ou V. L'addition de ce quatrième élément permet d'ajuster la largeur de la bande interdite, la discontinuité de la bande de conduction $g(D)Ec et la discontinuité de la bande de valence $g(D)Ev de l'hétérojonction. L'invention s'applique à la réalisation de transistors à effet de champ du type HEMT à très faible bande interdite, donc à courant de drain élevé. Elle s'applique également à la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction à faible V¿BE?, donc pouvant fonctionner sur de très faibles tensions d'alimentation.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)