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1. (WO2001003188) PROCEDE DE FIXATION DE CIRCUIT INTEGRE ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/003188    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/022438
Date de publication : 11.01.2001 Date de dépôt international : 28.09.1999
CIB :
G06K 19/077 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01)
Déposants : INTERMEC IP CORP. [US/US]; 21900 Burbank Boulevard Woodland Hills, CA 91367-7418 (US) (Tous Sauf US).
BRADY, Michael, John [US/US]; (US) (US Seulement).
DUAN, Dah-Weih [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BRADY, Michael, John; (US).
DUAN, Dah-Weih; (US)
Mandataire : BERLINER, Brian, M.; O'Melveny & Myers LLP 400 South Hope Street Los Angeles, CA 90071-2899 (US)
Données relatives à la priorité :
09/345,886 01.07.1999 US
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT ATTACHMENT PROCESS AND APPARATUS
(FR) PROCEDE DE FIXATION DE CIRCUIT INTEGRE ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A radio frequency transponder (10) comprises a substrate (12) having an electrically conductive material disposed thereon, and a superstrate (18) having an integrated circuit retention aperture. The superstrate is laminated to the substrate and substantially covers the electrically conductive material on the substrate. An integrated circuit (16) is substantially retained within the integrated circuit retention aperture and is operatively connected to the electrically conductive material. The substrate and superstrate may be each comprised of an organic material. The electrically conductive material comprises a metal material patterned to provide an antenna (14). An encapsulant material is disposed within the integrated circuit retention aperture substantially enclosing the integrated circuit therein. In another embodiment of the invention, an additional superstrate is provided on an opposite side of the substrate from the first superstrate. The substrate layer further includes a second integrated circuit retention aperture, and the integrated circuit is retained within both the first and second integrated circuit retention apertures. In yet another embodiment of the invention, the superstrate is laminated to the opposite side of the substrate only, and the integrated circuit retention aperture is provided in the substrate. Each of the embodiments of the invention provides a chip-in-cavity package having a relatively small form factor.
(FR)L'invention concerne un répondeur RF (10) comprenant un substrat (12) sur lequel est disposé un matériau conducteur, et une couche sus-jacente (18) à ouverture de maintien de circuit intégré. La couche sus-jacente, laminée sur le substrat, couvre sensiblement le matériau conducteur sur le substrat. Un circuit intégré (16), sensiblement maintenu dans l'ouverture susmentionnée, est relié opérationnel au matériau conducteur (16). Le substrat et la couche sus-jacente peuvent être en matériau organique. Le matériau conducteur comprend un matériau en métal structuré pour présenter une antenne (14). Un matériau d'encapsulation est placé dans l'ouverture susmentionnée, entourant sensiblement le circuit intégré. Selon une variante, une couche sus-jacente additionnelle est établie sur un côté opposé du substrat par rapport à la première couche sus-jacente. En outre, le substrat comprend une seconde ouverture de maintien de circuit intégré, et le circuit intégré est maintenu dans les deux ouvertures considérées. Selon une autre variante, le substrat est laminé sur le côté opposé du substrat seulement, et l'ouverture susmentionnée est pratiquée dans le substrat. Dans chacune de ces variantes, on est en présence d'un boîtier à puce en cavité dont le facteur de forme est relativement peu important.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)