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1. (WO2001003180) PROCEDE DE SEPARATION D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/003180    N° de la demande internationale :    PCT/EP2000/005772
Date de publication : 11.01.2001 Date de dépôt international : 21.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.01.2001    
CIB :
H01L 21/68 (2006.01), H01L 21/78 (2006.01), H01L 21/98 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54, D-80636 München (DE) (Tous Sauf US).
FEIL, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LANDESBERGER, Christof [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KLUMPP, Armin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HACKER, Erwin [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : FEIL, Michael; (DE).
LANDESBERGER, Christof; (DE).
KLUMPP, Armin; (DE).
HACKER, Erwin; (DE)
Mandataire : SCHOPPE, Fritz; Schoppe, Zimmermann & Stöckeler, Postfach 71 08 67, D-81458 München (DE)
Données relatives à la priorité :
99112540.2 01.07.1999 EP
199 62 763.0 23.12.1999 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM VEREINZELN EINES WAFERS
(EN) METHOD OF SUBDIVIDING A WAFER
(FR) PROCEDE DE SEPARATION D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(DE)Bei einem Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers (10), der eine Mehrzahl von einzelnen Schaltungsstrukturen (12a, 12b) aufweist, wird zunächst ein Graben (14) zwischen zumindest zwei Schaltungsstrukturen (12a, 12b) auf einer Seite des Wafers definiert. Anschliessend wird der Graben bis zu einer bestimmten Tiefe ausgeführt. Hierauf wird ein wieder lösbarer Zwischenträger, der aus einem festen Zwischenträgersubstrat und einem auf diesem aufgebrachten, in seiner Haftkraft gezielt veränderbaren Haftmedium besteht, an der einen Seite des Wafers befestigt, um dann den Wafer von der anderen Seite aus trockenzuätzen, so dass Schaltungschips erhalten werden, die nur noch über den Zwischenträger miteinander verbunden sind. Anschliessend werden die Schaltungschips von dem Zwischenträger entfernt. Durch dieses Verfahren werden mechanische Beeinträchtigungen beim Vereinzeln der Schaltungschips wesentlich reduziert, was zum einen die Herstellung von unter 50 $g(m)m dicken Schaltungschips ermöglicht, und was zum anderen zu mechanisch im wesentlichen integren Schaltungschips führt.
(EN)The invention relates to a method of subdividing a wafer (10) which comprises a plurality of individual circuit structures (12a, 12b). A trench (14) is defined between at least two circuit structures (12a, 12b) on one face of the wafer. Said trench is then deepened down to a defined depth. A releasable intermediate support is fixed on the one face of the wafer. Said releasable intermediate support consists of a fixed intermediate support substrate and an adhesive medium that is applied on said intermediate support substrate and that can be specifically modified in terms of its adhesive strength. The wafer is then dry-etched from the opposite face so that circuit chips are obtained that are linked with one another only via the intermediate support. Said circuit chips are subsequently removed from the intermediate support. The inventive method substantially reduces mechanical damages that might occur when the circuit chips are detached, thereby allowing the production of circuit chips with a thickness of less than 50 $g(m)m that are mechanically substantially undamaged.
(FR)La présente invention concerne un procédé de séparation d'une plaquette de silicium (10) présentant plusieurs structures de circuit individuelles (12a, 12b). Dans ce procédé, une tranchée (14) est d'abord définie, entre au moins deux structures de circuit (12a, 12b), sur une face de la plaquette de silicium. Cette tranchée est ensuite pratiquée jusqu'à une profondeur déterminée. Un support intermédiaire amovible est fixé sur ladite face de la plaquette de silicium. Ce support intermédiaire est constitué d'un substrat de support intermédiaire solide et d'un milieu adhésif qui est appliqué sur ce substrat et dont la force d'adhésion peut être modifiée. Cette fixation permet ensuite de graver à sec la plaquette de silicium à partir de l'autre face, de façon à obtenir des puces de circuit qui ne plus sont reliées entre elles que par le support intermédiaire. Les puces de circuit sont ensuite enlevées du support intermédiaire. Ce procédé permet de réduire sensiblement les dommages mécaniques lors de la séparation des puces de circuit, et permet ainsi, d'une part, de fabriquer des puces de circuit dont l'épaisseur est inférieure à 50 $g(m)m et, d'autre part, d'obtenir des puces de circuit sensiblement intactes d'un point de vue mécanique.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)