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1. (WO2001003176) DISPOSITIF DE FORMATION DE BOSSES SUR SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR GENERATEUR DE CHARGE ELECTRIQUE, PROCEDE DE SUPPRESSION DE LA CHARGE ELECTRIQUE D'UN SUBSTRAT GENERATEUR DE CHARGE ELECTRIQUE, DISPOSITIF DE SUPPRESSION DE LA CHARGE ELECTRIQUE D'UN SUBSTRAT GENERATEUR DE CHARGE ELECTRIQUE ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR GENERATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/003176    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/004280
Date de publication : 11.01.2001 Date de dépôt international : 29.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.11.2000    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (Tous Sauf US).
NARITA, Shoriki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUBOI, Yasutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IKEYA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MAE, Takaharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANAYAMA, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NARITA, Shoriki; (JP).
TSUBOI, Yasutaka; (JP).
IKEYA, Masahiko; (JP).
MAE, Takaharu; (JP).
KANAYAMA, Shinji; (JP)
Mandataire : AOYAMA, Tamotsu; Aoyama & Partners, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/189053 02.07.1999 JP
11/293702 15.10.1999 JP
11/308855 29.10.1999 JP
11/323979 15.11.1999 JP
2000/184467 20.06.2000 JP
Titre (EN) ELECTRIC CHARGE GENERATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE BUMP FORMING DEVICE, METHOD OF REMOVING ELECTRIC CHARGE FROM ELECTRIC CHARGE GENERATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, DEVICE FOR REMOVING ELECTRIC CHARGE FROM ELECTRIC CHARGE GENERATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND ELECTRIC CHARGE GENERATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE BOSSES SUR SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR GENERATEUR DE CHARGE ELECTRIQUE, PROCEDE DE SUPPRESSION DE LA CHARGE ELECTRIQUE D'UN SUBSTRAT GENERATEUR DE CHARGE ELECTRIQUE, DISPOSITIF DE SUPPRESSION DE LA CHARGE ELECTRIQUE D'UN SUBSTRAT GENERATEUR DE CHARGE ELECTRIQUE ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR GENERATEUR
Abrégé : front page image
(EN)A bump forming device (101, 501), a method of removing electric charge from an electric charge generating semiconductor substrate executed by the bump forming device, a device for removing electric charge from an electric charge generating semiconductor substrate, and an electric charge generating semiconductor substrate, in which pyroelectric breakdown of and physical damage to the electric charge generating semiconductor substrate (201, 202) can be prevented. At least when a wafer (202) is cooled after the bump bonding to the wafer, the electric charge build up in the wafer by the cooling is removed by direct contact with post heat device (170) or by temperature drop control that allows electric charge to be removed in a noncontact state. Thus, the amount of electric charge in the wafer can be reduced as compared with the prior art, thereby preventing pyroelectric breakdown of the wafer and occurrence of damage, such as cracks, to the wafer itself.
(FR)L'invention concerne un dispositif de formation de bosses (101, 501), un procédé de suppression de la charge électrique d'un substrat semi-conducteur générateur de charge électrique, un dispositif de suppression de la charge électrique d'un substrat semi-conducteur générateur de charge électrique, et un substrat semi-conducteur générateur de charge électrique. Cette invention vise à empêcher les pannes électriques et les dégâts physiques pouvant être occasionnés au substrat semi-conducteur générateur de charge électrique (201, 202). Lorsqu'une plaquette (202) est refroidie après la formation de bosses sur sa surface, la charge électrique accumulée dans la plaquette du fait du refroidissement est supprimée par contact direct avec un dispositif de post-chauffage (170) ou par régulation de la chute de la température qui permet le retrait de la charge électrique dans un état de non-contact. Ainsi, cette invention permet de réduire la charge électrique de la plaquette et donc d'empêcher les pannes pyroélectriques de la plaquette ainsi que les dégâts, du type fissures, occasionnés à la plaquette même.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)