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1. (WO2001003126) DISPOSITIF A MEMOIRE REMANENTE HAUTE DENSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/003126    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/017847
Date de publication : 11.01.2001 Date de dépôt international : 28.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.01.2001    
CIB :
C07D 487/22 (2006.01), C07D 519/00 (2006.01), C07F 17/02 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01), H01L 27/28 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 745 Parnassus Avenue, Box 1209, San Francisco, CA 94143-1209 (US) (Tous Sauf US).
NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY [US/US]; One Holladay Hall, Raleigh, NC 27695 (US) (Tous Sauf US).
BOCIAN, David, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
KUHR, Werner, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
LINDSEY, Jonathan, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
CLAUSEN, Peter, Christian [DE/US]; (US) (US Seulement).
GRYKO, Daniel, Tomasz [PL/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BOCIAN, David, F.; (US).
KUHR, Werner, G.; (US).
LINDSEY, Jonathan, S.; (US).
CLAUSEN, Peter, Christian; (US).
GRYKO, Daniel, Tomasz; (US)
Mandataire : ROBBINS, Billy, A.; Fulbright & Jaworski L.L.P. 865 S. Figueroa Street, 29th Floor, Los Angeles, CA 90017-2576 (US)
Données relatives à la priorité :
09/346,221 01.07.1999 US
09/346,228 01.07.1999 US
09/484,394 14.01.2000 US
Titre (EN) HIGH DENSITY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF A MEMOIRE REMANENTE HAUTE DENSITE
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides novel high density memory devices (Fig. 3) that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (102), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.
(FR)La présente invention concerne de nouveaux dispositifs à mémoire haute densité électriquement adressables et qui permettent une lecture et une écriture efficaces, possèdent une haute densité de mémoire (par exemple 10?15¿ bits/cm?3¿), possèdent un degré élevé de tolérance aux défauts et peuvent faire l'objet d'une synthèse chimique et d'une fabrication de puce efficaces. Les dispositifs selon l'invention peuvent posséder un verrou intrinsèque, sont tolérants aux défauts et supportent des cycles de lecture destructive ou non destructive. Dans un mode de réalisation préféré, le dispositif comprend une électrode fixe électriquement couplée à un support de mémorisation possédant plusieurs états d'oxydation différents et distinctifs, les données étant mémorisées dans ces états d'oxydation par ajout au support de mémorisation ou retrait du support de mémorisation d'un ou de plusieurs électrons au moyen de l'électrode à couplage électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)