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1. (WO2001001475) ENSEMBLE ELECTROFLUIDIQUE D'APPAREILS ET COMPOSANTS POUR INTEGRATION A PETITE ECHELLE ET NANOMETRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/001475    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/018145
Date de publication : 04.01.2001 Date de dépôt international : 30.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.12.2000    
CIB :
H01L 21/326 (2006.01)
Déposants : THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 304 Old Main, University Park, PA 16802 (US)
Inventeurs : JACKSON, Thomas, N.; (US).
MAYER, Theresa; (US)
Mandataire : MONAHAN, Thomas, J.; Intellectual Property Office, The Pennsylvania State University, 113 Technology Center, University Park, PA 16802-7000 (US)
Données relatives à la priorité :
60/141,723 30.06.1999 US
Titre (EN) ELECTROFLUIDIC ASSEMBLY OF DEVICES AND COMPONENTS FOR MICRO- AND NANO-SCALE INTEGRATION
(FR) ENSEMBLE ELECTROFLUIDIQUE D'APPAREILS ET COMPOSANTS POUR INTEGRATION A PETITE ECHELLE ET NANOMETRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)This invention is directed toward a process of manufacturing, including a technique of assembling parts on an apparatus. This technique includes forming electrode structures on a substrate, suspending the apparatus part or parts in a dielectric medium '70' between electrodes of electrode structure, and using (near-field that is, short range) electric field forces to align the part or parts in predetermined positions in accordance with the desired apparatus topography. The part or parts may include semiconductor die, nanometer wires '25' for making connections to devices, or other component requiring precision alignment.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication comprenant une technique permettant d'assembler des pièces d'un appareil. Cette technique consiste à former des structures d'électrodes sur un substrat ; à placer la pièce ou les pièces d'un appareil en suspension dans un milieu diélectrique '70' entre les électrodes de la structure d'électrodes; et, à utiliser des forces de champ électrique à champ proche (c'est-à-dire courte distance) de manière à aligner la ou les pièces dans des positions prédéterminées conformément à la topographie de l'appareil souhaitée. La ou les pièces peuvent comprendre un dé semi-conducteur ; des fils nanomètriques '25' permettant les connexions aux appareils ; ou d'autres composants nécessitant un alignement précis.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)