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1. (WO2001001470) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE GRAVER DU VERRE DE SILICATE ORGANIQUE DOPE AU CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/001470    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/016555
Date de publication : 04.01.2001 Date de dépôt international : 14.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.01.2001    
CIB :
H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; Building CA-1, 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US)
Inventeurs : NI, Tuquiang; (US).
TRAN, Nancy; (US)
Mandataire : MARTINE, Peter, B.; Martine & Penilla LLP, 710 Lakeway Drive, Suite 170, Sunnyvale, CA 94085 (US).
KENNEDY, Bill; Oppenheimer Wolff & Donnelly, LLP, P.O. Box 52037, Palo Alto, Ca 94303 (US)
Données relatives à la priorité :
09/340,943 28.06.1999 US
Titre (EN) A METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING CARBON-DOPED ORGANIC SILICATE GLASS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE GRAVER DU VERRE DE SILICATE ORGANIQUE DOPE AU CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)A method for etching a carbon-doped Organic Silicate Glass (OSG) insulating layer on a semiconductor device, as disclosed herein, includes introducing into a processing chamber a substrate with a carbon-doped OSG insulating layer and an overlying mask layer having an aperture. A plasma is then developed within the chamber from an oxidizing gas and a high selectivity gas. The high selectivity gas is preferably either a bromine containing gases, or a chlorine containing gases, or both. The ratio of oxidizing gas to high selectivity gas is preferably no less than 4:1. In addition, an inert carrier gas may be also provided. The plasma is then used to etch the organic silicate glass insulating layer through the mask layer, thereby forming a via in the organic silicate glass insulating layer wherein an underlying silicon nitride barrier layer remains essentially intact.
(FR)Cette invention concerne un procédé permettant de graver une couche isolante faite de verre de silicate organique dopé au carbone sur un dispositif à semi-conducteur. Ce procédé consiste à introduire dans une chambre de traitement un substrat comportant la couche isolante de verre de silicate organique dopé au carbone ainsi qu'une couche formant un masque sus-jacent et comportant une ouverture. On génère ensuite dans la chambre un plasma à partir d'un gaz oxydant et d'un gaz à sélectivité élevée. Le gaz à sélectivité élevée consiste de préférence en des gaz contenant du brome ou en des gaz contenant du chlore ou les deux. Le rapport entre le gaz oxydant et le gaz à sélectivité élevée ne dépasse pas 4 : 1 de préférence. Un gaz porteur inerte peut en outre être utilisé. On utilise ensuite le plasma afin de graver la couche isolante de verre de silicate organique à travers la couche servant de masque. On forme ainsi une voie dans la couche isolante de verre de silicate organique alors que la couche barrière de nitrure de silicium sous-jacente reste essentiellement intacte.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)