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1. (WO2001001464) SUBSTRAT A COUCHE MINCE EN SEMI-CONDUCTEUR POLYSILICIUM, SON PROCEDE DE PRODUCTION, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/001464    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/004141
Date de publication : 04.01.2001 Date de dépôt international : 23.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.09.2000    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-8010 (JP) (Tous Sauf US).
KIMURA, Yoshinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMO, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANEKO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIMURA, Yoshinobu; (JP).
KAMO, Takahiro; (JP).
KANEKO, Yoshiyuki; (JP)
Mandataire : SAKUTA, Yasuo; Hitachi, Ltd., 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyuda-ku, Tokyo 100-8220 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/181559 28.06.1999 JP
Titre (EN) POLYSILICON SEMICONDUCTOR THIN FILM SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT A COUCHE MINCE EN SEMI-CONDUCTEUR POLYSILICIUM, SON PROCEDE DE PRODUCTION, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a semiconductor device by forming an amorphous semiconductor film on an insulating substrate, irradiating the amorphous semiconductor film with a laser beam to crystallize the amorphous semiconductor film and thereby to form a polycrystalline semiconductor film, and fabricating a transistor in the polycrystalline semiconductor film, wherein the back of the insulating substrate or the amorphous semiconductor film is irradiated with ultraviolet radiation to heat the amorphous semiconductor film to a temperature under the melting point, the amorphous semiconductor film is irradiated with a laser beam with a shape selection suitable laser beam energy density Ec at which crystal grains whose the number of nearest crystal grains is six are formed the most so as to change the amorphous semiconductor film to a polycrystalline semiconductor film, and a transistor is fabricated in the polycrystalline semiconductor film. A thin film transistor capable of operating at high speed can be fabricated with high yield.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur consistant à former une couche mince en semi-conducteur amorphe sur un substrat isolant, à irradier la couche mince en semi-conducteur amorphe avec un faisceau laser pour cristalliser la couche mince en semi-conducteur amorphe et ainsi former une couche mince en semi-conducteur polycristallin, et à fabriquer un transistor dans la couche mince en semi-conducteur polycristallin, dans lequel l'arrière du substrat isolant ou de la couche mince en semi-conducteur amorphe est irradié avec un rayonnement ultraviolet pour chauffer la couche mince en semi-conducteur amorphe à une température inférieure à celle du point de fusion, la couche mince en semi-conducteur amorphe est irradiée avec un faisceau laser avec une sélection de formes adaptée à la densité Ec d'énergie du faisceau laser à laquelle les grains cristallins, dont le nombre de grains cristallins le plus proche est de 6, sont formés pour la plupart de manière à changer la couche mince en semi-conducteur amorphe en une couche mince en semi-conducteur polycristallin, et un transistor est fabriqué dans la couche mince en semi-conducteur polycristallin. Un transistor à couche mince capable de fonctionner à grande vitesse peut être fabriqué avec un rendement élevé.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)