WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001001455) PUCE AVEC MICROELECTRODES SAILLANTES ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE PUCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/001455    N° de la demande internationale :    PCT/EP2000/004905
Date de publication : 04.01.2001 Date de dépôt international : 30.05.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.01.2001    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Déposants : INSTITUT FÜR MIKROELEKTRONIK STUTTGART [DE/DE]; Allmandring 30a, D-70569 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
DUDEK, Volker [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GRAF, Heinz, Gerhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GRAF, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HÖFFLINGER, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : DUDEK, Volker; (DE).
GRAF, Heinz, Gerhard; (DE).
GRAF, Michael; (DE).
HÖFFLINGER, Bernd; (DE)
Mandataire : GAHLERT, Stefan; Witte, Weller & Partner, Postfach 105462, D-70047 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
199 29 542.5 28.06.1999 DE
Titre (DE) CHIP MIT RÄUMLICH VORSTEHENDEN MIKROELEKTRODEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN
(EN) CHIP WITH PROTRUDING MICROELECTRODES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) PUCE AVEC MICROELECTRODES SAILLANTES ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE PUCE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Erzeugung von Mikroelektroden (22) auf einem Chip (10) angegeben, bei dem zunächst auf der Oberfläche (12) eines Substrates (10) eine Passivierungsschicht (16) aufgebracht wird, wobei ausgewählte Bereiche (18) ausgespart werden. Anschliessend erfolgt ein selektives epitaktisches Kristallwachstum über den ausgewählten Bereichen (18) des Chips (10), um räumlich hervorstehende Mikroelektroden (22) zu erzeugen, die zwecks einer ausreichenden Leitfähigkeit dotiert werden. Das erfindungsgemässe Verfahren kann in einen CMOS-Prozess integriert werden, um eine grosse Anzahl von mikroskopisch kleinen, räumlich von der Oberfläche eines Chips hervorstehenden Mikroelektroden zu erzeugen, die unmittelbar mit Steuerschaltungen kombiniert werden können, die auf dem Chip im Rahmen des CMOS-Prozesses erzeugt werden.
(EN)Disclosed is a method for the production of microelectrodes (22) on a chip (10). The inventive method consists of the following: a passivating layer is initially applied to the surface (12) of a substrate (10) with the exception of certain areas (18) thereof. This is followed by selective epitactic crystal growth on said areas (18) of the chip in order to produce protruding microelectrodes (22) which can be doped in such a way as to exhibit sufficient conductivity. The inventive method can be integrated into a CMOS process in order to produce a large number of microscopically small microelectrodes which protrude from the surface of the chip and which can be directly combined with control circuits which are produced on the chip as part of the CMOS process.
(FR)L'invention concerne un procédé de création de microélectrodes (22) sur une puce (10), consistant à appliquer dans un premier temps une couche de passivation (16) à la surface (12) d'un substrat (10), certaines zones spécifiques (18) n'étant pas soumises à l'application de cette couche. Une cristallogénèse épitaxiale sélective est ensuite effectuée sur les zones spécifiques (18) de la puce (10) afin de créer des microélectrodes saillantes (22), que l'on dope de manière qu'elles présentent une conductivité suffisante. Le procédé selon l'invention peut être intégré dans un processus CMOS en vue de créer un grand nombre de micro-électrodes saillantes microscopiques à la surface d'une puce, pouvant directement être combinées avec des circuits de commande réalisés sur la puce dans le cadre du processus CMOS.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)