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1. (WO2001001452) DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS ORGANIQUES A INJECTION DE PORTEURS AMELIOREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/001452    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/017325
Date de publication : 04.01.2001 Date de dépôt international : 23.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.12.2000    
CIB :
H01J 1/62 (2006.01), H01J 63/04 (2006.01), H01L 35/24 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 304 Old Main, University Park, PA 16802 (US)
Inventeurs : JACKSON, Thomas, N.; (US).
KLAUK, Hagen; (US)
Mandataire : MONAHAN, Thomas, J.; Intellectual Property Office, The Pennsylvania State University, 113 Technology Center, University Park, PA 16802-7000 (US)
Données relatives à la priorité :
60/141,161 25.06.1999 US
Titre (EN) ORGANIC LIGHT EMITTERS WITH IMPROVED CARRIER INJECTION
(FR) DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS ORGANIQUES A INJECTION DE PORTEURS AMELIOREE
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting device (10) with improved carrier injection. The device has a layer of organic light emitting material (22) and a layer of organic semiconductor material (20) that are interposed between the first (18) and second (24) contact layers. A carrier transport layer (32) may optionally be included between the semiconductor (20) and light emitting (22) layers. When used as a diode, the first (18) and second (24) contacts are functionally the anode and cathode. The device can also be a field effect transistor device by adding a gate contact (14) and a gate dielectric (16). The first and second contacts then additionally have the function of source and drain, depending on whether the organic semiconductor material (20) is a p-type or an n-type. Preferably, the organic semiconductor (20) is formed with pentacene.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent organique à injection de porteurs améliorée. Ce dispositif comprend une couche d'un matériau électroluminescent organique et une couche d'un matériau semiconducteur organique interposées entre une première et une seconde couche de contact. Une couche de transport de porteurs peut éventuellement être incluse entre les couches semiconductrice et électroluminescente. Lorsqu'on utilise ledit dispositif comme une diode, le premier et le second contact servent fonctionnellement d'anode et de cathode. Le dispositif peut également être réalisé sous la forme d'un transistor à effet de champ par addition d'un contact de grille et d'un diélectrique de grille. Le premier et le second contact ont alors la fonction supplémentaire de source ou de drain, selon si le matériau semiconducteur organique est du type p ou du type n. De préférence, le semiconducteur organique est formé à partir de pentacène.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)