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1. (WO2001001198) MASQUE PHOTOGRAPHIQUE DEPHASE POUR FORMER DES MOTIFS DE CARACTERISTIQUES HAUTE DENSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/001198    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/000697
Date de publication : 04.01.2001 Date de dépôt international : 11.01.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.12.2000    
CIB :
G03F 1/28 (2012.01), G03F 1/30 (2012.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : NISTLER, John, L.; (US).
BROWN, Stuart, E.; (US)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, M/S 562, Austin, TX 78741 (US).
BROOKES BATCHELLOR; 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
09/344,458 25.06.1999 US
Titre (EN) PHASE-SHIFT PHOTOMASK FOR PATTERNING HIGH DENSITY FEATURES
(FR) MASQUE PHOTOGRAPHIQUE DEPHASE POUR FORMER DES MOTIFS DE CARACTERISTIQUES HAUTE DENSITE
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a photomask includes providing a transparent substrate and forming an opaque layer over at least a first portion of the transparent substrate. The opaque layer is patterned to define a mask pattern and expose at least a second portion of the transparent substrate. The second portion is etched to define a phase shifting region. The width of the phase shifting region defines a critical dimension. The critical dimension is measured, and the phase shifting region is etched based on the critical dimension to undercut the optically opaque layer. A photomask includes a transparent substrate and a phase shitting region defined in the transparent substrate. The phase shifting region includes sloped sidewalls having a slope of less than about 85°.
(FR)L'invention concerne un procédé servant à former un masque photographique, qui comporte les étapes consistant à: prévoir un substrat transparent; former une couche opaque sur au moins une première partie du substrat transparent; former des motifs dans la couche opaque de façon à définir un motif de masque et à exposer au moins une deuxième partie du substrat transparent; graver la deuxième partie pour définir une zone déphasée, la largeur de la zone déphasée définissant une dimension critique; mesurer la dimension critique; et graver la zone déphasée sur la base de la dimension critique pour graver de manière sous-jacente la couche optiquement opaque. L'invention concerne un masque photographique comprenant un substrat transparent et une zone déphasée définie dans le substrat transparent. La zone déphasée comporte des parois latérales inclinées présentant une pente inférieure à environ 85°.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)