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1. (WO2001000908) DISPOSITIF DE CHAUFFE POUR FOUR A CRISTAUX CROISSANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/000908    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/017667
Date de publication : 04.01.2001 Date de dépôt international : 26.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.01.2001    
CIB :
C30B 11/00 (2006.01), C30B 35/00 (2006.01)
Déposants : ACTI OPTICS & ENGINEERING, INC. [US/US]; 9045 Osborne Drive, Mentor, OH 44060 (US)
Inventeurs : SCHUPP, John, D.; (US).
HEARST, David, T.; (US)
Mandataire : DEIOMA, David, B.; Pearne & Gordon LLP, Suite 1200, 526 Superior Avenue East, Cleveland, OH 44114-1484 (US)
Données relatives à la priorité :
60/141,389 29.06.1999 US
09/349,597 09.07.1999 US
09/571,421 15.05.2000 US
Titre (EN) HEATER ARRANGEMENT FOR CRYSTAL GROWTH FURNACE
(FR) DISPOSITIF DE CHAUFFE POUR FOUR A CRISTAUX CROISSANTS
Abrégé : front page image
(EN)A furnace (10) for growing crystals includes a plurality of growth stations (14) and first (50) and second (52) heater matrixes. Each growth station (14) has a crucible (16) and an insulating container (18) generally surrounding the crucible (16) and thermally isolating the crucible (16) from the other growth stations (14). The first (50) and second (52) heater matrices each include at least two legs (54, 56) electrically connected, each of which have at least two heaters (20, 22) electrically connected in series. Each of the growth stations (14) have at least one of the heaters (20, 22) within the first heater matrix (52) and at least one of the heaters (20, 22) within the second heater matrix (50) associated therewith. The heaters (20, 22) of the first heater matrix (50) are located above the crucibles (16) and are adapted to provide a homogeneous temperature there. The heaters (20, 22) of the second heater matrix (52) are located below the crucible (16) and are adapted to provide a temperature gradient there.
(FR)Un four (10) de croissance de cristaux comprend plusieurs stations de croissance (14) et des première (50) et seconde (52) matrices de chauffe. Chaque station (14) a un creuset et un container d'isolation (18) qui entoure généralement ledit creuset (16) et l'isole thermiquement des autres stations de croissance (14). Les première (50) et seconde (52) matrices de chauffe comprennent chacune au moins deux pattes (54, 56) connectées électriquement et chacune d'elles a au moins deux appareils de chauffe à résistance (20, 22) connectés électriquement en série. Chacune des stations de croissance (14) a au moins un appareil de chauffe à résistance (20, 22) à l'intérieur de la première matrice de chauffe (50) et au moins un autre appareil (20, 22) à l'intérieur de la seconde matrice de chauffe (52) associée. Les appareils de chauffe à résistance (20, 22) de ladite première matrice (50) sont situés au-dessus des creusets (16) et sont conçus pour y produire une température homogène. Les appareils (20, 22) de la seconde matrice de chauffe (52) sont de préférence situés au-dessous du creuset (16) et sont conçus pour y produire un gradient thermique.
États désignés : CN, CZ, JP, KR, RU.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)