WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001000899) PLAQUE SUPPORT DE CIBLE DE PULVERISATION CATHODIQUE ET ASSEMBLAGE PLAQUE SUPPORT/CIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/000899    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/003480
Date de publication : 04.01.2001 Date de dépôt international : 29.06.1999
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : JAPAN ENERGY CORPORATION [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome Minato-ku Tokyo 105-0001 (JP) (KR only).
OKABE, Takeo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUYO, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKABE, Takeo; (JP).
FUKUYO, Hideaki; (JP)
Mandataire : OGOSHI, Isamu; Teclaw Patent & Law Office Nishi-Shimbashi Sato Building, 7th floor 4-1, Nishi-Shimbashi 3-chome Minato-ku Tokyo 105-0003 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SPUTTERING TARGET BACKING PLATE AND SPUTTERING TARGET/BACKING PLATE ASSEMBLY
(FR) PLAQUE SUPPORT DE CIBLE DE PULVERISATION CATHODIQUE ET ASSEMBLAGE PLAQUE SUPPORT/CIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A backing plate material small in deformation even in a high-temperature environment such as high-power sputtering and excellent in heat conductivity. A sputtering gate backing plate characterized by being made of a Cu alloy having a 0.2% proof stress of not less than 200 MPa and an assembly formed by joining the backing plate and a sputtering target together. Preferably, the assembly is formed by solid-state-welding the backing plate and the sputtering target together by using as the backing plate a Cu alloy containing 0.7 to 1.2 wt.% of Cr, not more than 1 wt.% of a total of components selected from a group of Al, Mg, S, K, Ca, Fe, Ni, As, Ag, Sb and Bi and a remaining component of Cu.
(FR)L'invention porte sur un matériau de plaque support peu déformable même en présence des températures élevées associées à une pulvérisation cathodique de forte puissance, et d'une excellente conductivité thermique. Ladite plaque est faite d'un alliage de Cu comportant de 0,7 à 1,2 % de Cr, moins de 1 % du poids total de composants choisis parmi Al, Mg, S, K, Ca, Fe, Ni, As, Ag, Sb, et Bi, et le reliquat de Cu, et présentant une limite élastique de 0,2 % sous moins de 200 MPa. L'invention porte également sur l'assemblage plaque support/cible de préférence réalisé en soudant par pression la cible à la plaque support.
États désignés : KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)