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1. (WO2000057485) PHOTODIODE RETRO-ILLUMINEE A HETEROJONCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/057485    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/003025
Date de publication : 28.09.2000 Date de dépôt international : 04.02.2000
CIB :
H01L 31/00 (2006.01), H01L 31/0304 (2006.01), H01L 31/105 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, Morristown, NJ 07692 (US)
Inventeurs : YANG, Wei, X.; (US).
NOHAVA, Thomas, E.; (US).
MCPHERSON, Scott, A.; (US).
TORREANO, Robert, C.; (US).
KRISHNANKUTTY, Subash; (US).
MARSH, Holly, A.; (US)
Mandataire : SHUDY, John, G., Jr.; Honeywell International Inc., Patent Services Group, AB-2B, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07962 (US)
Données relatives à la priorité :
09/275,632 24.03.1999 US
Titre (EN) BACK-ILLUMINATED HETEROJUNCTION PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE RETRO-ILLUMINEE A HETEROJONCTION
Abrégé : front page image
(EN)A p-i-n photodiode having a high responsivity and quantum efficiency due to an AlGaN heterojunction where photons are absorbed within the p-n junction thereby eliminating carrier losses due to surface recombination and diffusion processes. Ultraviolet light comes through a transparent substrate, such as sapphire, a transparent AlN buffer and an n-doped AlGaN layer, and to an undoped AlGaN layer where the light is absorbed. The undoped layer is sandwiched between the n-doped AlGaN layer and a p-doped AlGaN layer. Metal contacts are formed on the doped layers to obtain the current caused by the absorbed light in the undoped layer. The mole fractions of the Al and Ga in the undoped and doped layers may be adjusted to obtain a desired wavelength bandpass of light to be detected.
(FR)L'invention concerne une photodiode p-i-n ayant un sensibilité et un rendement quantique élevés grâce à une hétérojonction AlGaN où les photons sont absorbés à l'intérieur de la jonction p-n, éliminant ainsi les pertes de porteuse dues aux processus de recombinaison superficielle et de diffusion. De la lumière ultraviolette traverse un substrat transparent, comme le saphir, un tampon AlN transparent et une couche AlGaN dopée n, puis arrive sur une couche AlGaN non dopée où elle est absorbée. La couche non dopée est placée entre la couche AlGaN dopée n et une couche AlGaN dopée p. Des contacts métalliques sont formés sur les couches dopées afin d'obtenir le courant créé par la lumière absorbée dans la couche non dopée. Les fractions molaires d'Al et Ga dans les couches dopées et non dopée peuvent être ajustées pour qu'une certaine bande passante de longueur d'onde de lumière soit détectée.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)