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1. (WO2000057478) APPAREIL ELECTRONIQUE COMPRENANT UN DISPOSITIF A EFFET DE CHAMP A GRILLE DE TRANCHEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/057478    N° de la demande internationale :    PCT/EP2000/001592
Date de publication : 28.09.2000 Date de dépôt international : 28.02.2000
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : HUETING, Raymond, J., E.; (NL).
BROWN, Adam, R.; (NL).
SCHLIGTENHORST, Holger; (NL).
GAJDA, Mark, A.; (NL).
HODGSKISS, Stephen, W.; (NL)
Mandataire : STEVENS, Brian, T.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
9906247.3 18.03.1999 GB
Titre (EN) AN ELECTRONIC DEVICE COMPRISING A TRENCH GATE FIELD EFFECT DEVICE
(FR) APPAREIL ELECTRONIQUE COMPRENANT UN DISPOSITIF A EFFET DE CHAMP A GRILLE DE TRANCHEE
Abrégé : front page image
(EN)A trench gate field effect device has a semiconductor body (2) with a trench (3) extending into a first major surface (2a) so as to define a regular array of polygonal source cells (4). Each source cell contains a source region (5a, 5b) and a body region (6a, 6b) with the body regions separating the source regions from a common further region (20). A gate (G) extends within and along said trench (3) for controlling a conduction channel through each of the body regions. Each source cell (4) has a central semiconductor region (60) which is more highly doped than said body regions, is of opposite conductivity type to the further region and forms a diode with the further region. Each source cell (4) has an inner trench boundary (3a) and an outer polygonal trench boundary (3b) with the inner trench boundary bounding a central subsidiary cell (10a) containing the central semiconductor region (60). A plurality of trench portions (30) radiate outwardly from the inner trench boundary (3a) to the outer trench boundary (3b). The trench portions separate the area between the inner and outer trench boundaries into a plurality of segments each having one side longer than another. Each segment forms a subsidiary source cell (10b).
(FR)L'invention concerne un dispositif à effet de champ à grille de tranchée comportant un corps (2) à semiconducteurs comprenant une tranchée (3) qui s'étend dans une première surface (2a) principale de manière à définir une réseau régulier de cellules (4) sources polygonales. Chaque cellule source contient une région de source (5a, 5b) et une région de corps (6a, 6b), les régions de corps séparant les régions de source d'une autre région commune (20). Une grille (G) s'étend à l'intérieur et le long de la tranchée (3) et permet de commander un canal de conduction dans chaque région de corps. Chaque cellule (4) source possède une région (60) semiconductrice centrale plus hautement dopée que les régions de corps et qui présente un type de conductivité opposé à celui de l'autre région avec laquelle elle forme une diode. Chaque cellule (4) source possède une limite (3a) de tranchée intérieure et une limite (3b) de tranchée polygonale extérieure, la limite de tranchée intérieure servant de limite à une cellule auxiliaire (10a) centrale qui contient la région (60) semiconductrice centrale. Plusieurs segments (30) de tranchée rayonnent vers l'extérieur de la limite (3a), de tranchée intérieure à la limite (3b) de tranchée extérieure. Les segments de tranchée séparent la zone située entre les limites de tranchée intérieure et extérieure en plusieurs segments possédant chacun un côté plus long que l'autre. Chaque segment forme une cellule source auxiliaire (10b).
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)