WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2000057464) PROCEDE DE CROISSANCE PAR VOIE HUMIDE A TEMPERATURE AMBIANTE D'OXYDES A BASE DE SiO SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/057464    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/007159
Date de publication : 28.09.2000 Date de dépôt international : 17.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.10.2000    
CIB :
H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : SPECIAL MATERIALS RESEARCH AND TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 27390 Lusandra Circle, North Olmsted, OH 44070 (US)
Inventeurs : FAUR, Maria; (US).
FAUR, Mircea; (US).
FLOOD, Dennis, J.; (US).
BAILEY, Sheila, G.; (US).
FAUR, Horia, M.; (US)
Mandataire : MOORE, James, M._; Pearne, Gordon, McCoy & Granger LLP, Suite 1200, 526 Superior Avenue East, Cleveland, OH 44114-1484 (US)
Données relatives à la priorité :
09/273,373 22.03.1999 US
Titre (EN) ROOM TEMPERATURE WET CHEMICAL GROWTH PROCESS OF SiO BASED OXIDES ON SILICON
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE PAR VOIE HUMIDE A TEMPERATURE AMBIANTE D'OXYDES A BASE DE SiO SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a room temperature wet chemical growth (RTWCG) process of SiO-based insulator coatings on silicon substrates for electronic and photonic (optoelectronic) device applications. The process includes soaking the Si substrates into the growth solution. The process utilizes a mixture of H¿2?SiF¿6?, N-n-butylpyridinium chloride, redox Fe?2+¿/Fe?3+¿ aqueous solutions, and a homogenous catalyst.
(FR)L'invention concerne un procédé de croissance par voie humide à température ambiante (PCVHTA) de revêtement isolants à base de SiO sur des substrats de silicium trouvant une application dans des dispositifs électroniques et photoniques (optoélectroniques). Ce procédé consiste à tremper les substrats de Si dans la solution de croissance. Ce procédé fait appel à un mélange de H¿2?SiF¿6?, un chlorure de N-n-butylpyridinium, des solutions aqueuses d'oxydoréduction Fe?2+¿/Fe?3+¿ et un catalyseur homogène.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)