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1. (WO2000056956) PROCEDE ET APPAREIL DE REGULATION DU DIAMETRE D'UN CRISTAL DE SILICIUM LORS D'UN PROCESSUS DE TIRAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/056956    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/004168
Date de publication : 28.09.2000 Date de dépôt international : 17.02.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.08.2000    
CIB :
C30B 15/20 (2006.01), C30B 15/22 (2006.01)
Déposants : MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive, P.O. Box 8, St. Peters, MO 63376 (US)
Inventeurs : FUERHOFF, Robert, H.; (US).
KIMBEL, Steven, L.; (US)
Mandataire : HEJLEK, Edward, J.; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel, One Metropolitan Square, 16th Fl., St. Louis, MO 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
60/125,456 22.03.1999 US
09/502,340 10.02.2000 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING DIAMETER OF A SILICON CRYSTAL IN A GROWTH PROCESS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE REGULATION DU DIAMETRE D'UN CRISTAL DE SILICIUM LORS D'UN PROCESSUS DE TIRAGE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for controlling the diameter of a monocrystalline ingot as it is being pulled from a melt by changing the temperature of the melt. The ingot is pulled from the melt at a target rate that substantially follows a predetermined velocity profile. A temperature model represents variations in the melt temperature in response to variations in power supplied to a heater for heating the melt. In generating a temperature set point representing a target melt temperature, an error between a target diameter and a measured diameter of the ingot is determined and proportional-integral-derivative (PID) control is performed on the error signal. The PID control generates the temperature set point as a function of the error signal. In turn, the temperature model determines a power set point for the power supplied to the heater as a function of the temperature set point generated by the PID control and the power supplied to the heater is adjusted according to the power set point.
(FR)L'invention se rapporte à un procédé et à un appareil visant à réguler le diamètre d'un lingot monocristallin lors de son tirage à partir d'un bain, ledit procédé consistant à modifier la température dudit bain. Le lingot est tiré à partir du bain à une vitesse cible qui suit sensiblement un profil de vitesses préétabli. Un modèle de températures représente des variations dans la température du bain en fonction des variations de la puissance délivrée à un organe chauffant conçu pour chauffer le bain. Grâce à la génération d'un point de contrôle de la température représentant une température cible du bain, il est possible de déterminer une erreur entre un diamètre cible et un diamètre mesuré du lingot et d'effectuer une commande proportionnelle, intégrale et dérivée (PID) sur le signal d'erreur. Cette commande PID génère le point de contrôle de la température en fonction du signal d'erreur. Le modèle de température sert ensuite à déterminer un point de contrôle de la puissance délivrée à l'organe chauffant en fonction du point de contrôle de la température généré par la commande PID, et la puissance appliquée à cet organe chauffant est réglée en fonction de ce point de contrôle de la puissance.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)