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1. (WO2000055982) EMETTEUR-RECEPTEUR PORTATIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055982    N° de la demande internationale :    PCT/SE2000/000497
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 14.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.10.2000    
CIB :
H03F 1/30 (2006.01)
Déposants : TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON [SE/SE]; S-126 25 Stockholm (SE)
Inventeurs : KOITSALU, Evald; (SE)
Mandataire : STRÖM, Tore; Ström & Gulliksson AB, P.O. Box 4188, S-203 13 Malmö (SE)
Données relatives à la priorité :
9900951-6 16.03.1999 SE
Titre (EN) A PORTABLE RADIO TRANSCEIVER
(FR) EMETTEUR-RECEPTEUR PORTATIF
Abrégé : front page image
(EN)A portable radio transceiver has a transmitter power amplifier (PA) and a series transistor (V1), which is connected to the transmitter power amplifier and is adapted, in response to a transmission control signal (TX on/off), to control transmission by the transmitter power amplifier. Negative bias generating means provides negative bias (V¿neg?) to the transmitter power amplifier and is also used for increasing a voltage applied to the gate of the series transistor so as to reduce its resistance. The negative bias generating means has a second transistor (V2) connected to the gate of the series transistor (V1), and a third transistor (V3), the gate of which is adapted to receive the transmission control signal (TX on/off). It also has a capacitor (C1) connected between the second and third transistors, and a diode means (D1) connected between the capacitor and the second transistor.
(FR)L'invention concerne un émetteur-récepteur portatif comprenant un amplificateur de puissance (PA) d'émetteur et un transistor en série (V1) connecté à l'amplificateur de puissance d'émetteur et conçu, en réponse à un signal de commande d'émission (TX on/off), pour commander l'émission de l'amplificateur de puissance d'émetteur. Un dispositif de génération de tension de polarisation négative envoie une tension de polarisation négative (V¿neg?) à l'amplificateur de puissance d'émetteur et s'utilise également pour augmenter une tension appliquée à la grille du transistor en série de manière à réduire sa résistance. Le dispositif de génération de tension de polarisation comporte un deuxième transistor (V2) connecté à la grille du transistor en série (V1), et un troisième transistor (V3) dont la grille est conçue de manière à recevoir le signal de commande d'émission (TX. on/off). Il comprend également un condensateur (C1) connecté entre les deuxième et troisième transistors et un dispositif à diode (D1) connecté entre le condensateur et le deuxième transistor.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)