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1. (WO2000055971) PROCEDES ET APPAREIL D'ELIMINATION DE L'EFFET BIPOLAIRE DANS DES CIRCUITS EN DOMINO DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055971    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/019535
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 27.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.10.2000    
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H03K 19/003 (2006.01), H03K 19/094 (2006.01), H03K 19/096 (2006.01), H03K 19/20 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NJ 10504 (US)
Inventeurs : DAVIES, Andrew, Douglas; (US).
STORINO, Salvatore, N.; (US).
TRAN, Jeff, V.; (US).
WILLIAMS, Robert, Russell; (US)
Mandataire : NOCK, James, R.; IBM Corporation, Dept. 917, Building 006-1, 3605 Highway 52 North, Rochester, MN 55901-7829 (US)
Données relatives à la priorité :
09/268,923 16.03.1999 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR BIPOLAR ELIMINATION IN SILICON-ON-INSULATOR (SOI) DOMINO CIRCUITS
(FR) PROCEDES ET APPAREIL D'ELIMINATION DE L'EFFET BIPOLAIRE DANS DES CIRCUITS EN DOMINO DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI)
Abrégé : front page image
(EN)In brief, methods and apparatus are provided for bipolar elimination in silicon-on-insulator (SOI) domino circuits. The apparatus for bipolar elimination in silicon-on-insulator (SOI) domino circuit includes a domino silicon-on-insulator (SOI) field effect transistor (402). An input is coupled to the domino silicon-on-insulator (SOI) field effect transistor (402). A predischarging device is coupled to said domino silicon-on-insulator (SOI) field effect transistor (402). The predischarging device is activated during a precharge mode of the domino circuit, so that the SOI parasitic bipolar transistor is not activated. A dynamic input circuit (300) couples the input to the domino silicon-on-insulator (SOI) field effect transistor (402). The output of the dynamic input circuit (300) is low during the precharge mode. The output of the dynamic input circuit (300) corresponds to the input during the evaluate mode. The output of the dynamic input circuit (300) is used to gate the predischarging device.
(FR)Cette invention se rapporte à des procédés et à un appareil d'élimination de l'effet bipolaire dans des circuits en domino du type silicium sur isolant (SOI). Un tel appareil d'élimination de l'effet bipolaire dans un circuit en domino du type silicium sur isolant (SOI) comprend un transistor à effet de champ silicium sur isolant (SOI). Une entrée est couplée à ce transistor à effet de champ silicium sur isolant (SOI). Un dispositif de prédécharge est couplé à ce transistor à effet de champ silicium sur isolant (SOI) (402). Le dispositif de précharge est activé en mode de précharge du circuit en domino, pour que le transistor bipolaire parasite SOI ne soit pas activé. Un circuit d'entrée dynamique (300) est couplé à l'entrée du transistor à effet de champ silicium sur isolant (SOI) en domino (402). La sortie du circuit d'entrée dynamique (300) est faible en mode de précharge. La sortie du circuit d'entrée dynamique (300) correspond à l'entrée en mode d'évaluation. La sortie du circuit d'entrée dynamique (300) est utilisée pour déclencher le dispositif de prédécharge.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)