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1. (WO2000055950) LASER SEMI-CONDUCTEUR A MODES BLOQUES PASSIVEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055950    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/006928
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 17.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.10.2000    
CIB :
H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/06 (2006.01), H01S 5/065 (2006.01), H01S 5/14 (2006.01)
Déposants : FEMTOLINE INC. [US/US]; 747 Third Avenue, 4th Floor, New York, NY 10017-2803 (US)
Inventeurs : MAGNITSKII, S. A.; (RU).
SHRAMENKO, M. V.; (RU).
YAKUBOVICH, S. D.; (RU)
Mandataire : COHEN, Herbert; Blank Rome Comisky & McCauley LLP, 900 17th Street, N.W., Suite 1000, Washington, DC 20006 (US)
Données relatives à la priorité :
60/124,929 18.03.1999 US
Titre (EN) PASSIVELY MODE-LOCKED SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER SEMI-CONDUCTEUR A MODES BLOQUES PASSIVEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A miniature ultra-short light pulse source is based on a passively mode-locked semiconductor laser, including a multisegment laser diode (LD) with controllable saturation in absorbing sections(s) and anti-reflection coating on one of its facets, which is used as an active element. A single-mode optical fiber with a Bragg grating (FBG) written into its core is used as an external cavity. Depending on FBG reflectivity spectrum, the device emits a regular train of transform-limited ps-length pulses or linearly chirped ps-length pulses suitable for a time-compression technique.
(FR)L'invention concerne une source d'impulsion lumineuse ultra-courte basée sur un laser semi-conducteur à modes bloqués passivement, qui comprend une diode laser multisegments, utilisée comme élément actif, à saturation maîtrisable dans l'absorption de sections et une couche anti-reflet sur l'une de ses facettes. On utilise comme cavité externe une fibre optique unimodale à réseau de Bragg (FBG) inscrite sur son coeur. Selon le spectre de réflectivité FBG, le dipositif émet un train régulier d'impulsions de durée ps à transformation limitée ou d'impulsions linéairement comprimées de durée ps convenables pour une technique de compression temporelle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)