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1. (WO2000055921) DIODE ATT HAUTE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055921    N° de la demande internationale :    PCT/SE2000/000463
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 09.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.10.2000    
CIB :
H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/864 (2006.01)
Déposants : ACREO AB [SE/SE]; Electrum 236, S-164 40 Kista (SE) (Tous Sauf US).
KONSTANTINOV, Andrei [RU/SE]; (SE) (US Seulement).
HARRIS, Christopher [GB/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : KONSTANTINOV, Andrei; (SE).
HARRIS, Christopher; (SE)
Mandataire : BJERKÉN, Håkan; Bjerkéns Patentbyrå KB, P.O. Box 1274, S-801 37 Gävle (SE)
Données relatives à la priorité :
9900882-3 12.03.1999 SE
Titre (EN) A HIGH POWER IMPATT DIODE
(FR) DIODE ATT HAUTE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)In a high power IMPATT (Impact Avalanche Transit Time) diode for generating high frequency signals two electrodes, anode (2) and cathode (1), are arranged with a semiconductor layer therebetween. Said semiconductor layer comprises a drift layer (7) for transport of charge carriers between the electrodes. The semiconductor layer is made of crystalline SiC and it is provided with means (9) adapted to locally increase the electric field in the drift layer substantially with respect to the average electric field therein for generating an avalanche breakdown at a considerably lower voltage across the electrodes than would the electric field be substantially constant across the entire drift layer.
(FR)Dans une diode à avalanche et temps de transit (ATT) haute puissance destinée à générer des signaux haute fréquence, cette diode étant munie de deux électrodes, une anode (2) et une cathode (1) sont séparées par une couche à semiconducteur. Cette couche à semiconducteur, qui renferme une couche de dérive (7) transportant les porteurs de charge entre les électrodes, est fabriqué à partir de SiC cristallin et présente des organes (9) conçus pour augmenter localement le champ électrique dans ladite couche de dérive sensiblement par rapport au champ électrique moyen. On provoque ainsi, sur lesdites électrodes, une rupture en avalanche à une tension considérablement inférieure au champ électrique, sensiblement constant sur toute la couche de dérive.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)