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1. (WO2000055918) CELLULE DE MEMOIRE FLASH A ELEMENT FLEXIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055918    N° de la demande internationale :    PCT/GB2000/000608
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 21.02.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.09.2000    
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), H01H 59/00 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : CAVENDISH KINETICS LIMITED [GB/GB]; Home Farm, Heydon, Nr Royston, Hertfordshire SG8 8PZ (GB) (Tous Sauf US).
SMITH, Charles, Gordon [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : SMITH, Charles, Gordon; (GB)
Mandataire : GILL JENNINGS & EVERY; Broadgate House, 7 Eldon Street, London EC2M 7LH (GB)
Données relatives à la priorité :
99302083.3 18.03.1999 EP
Titre (EN) FLASH MEMORY CELL HAVING A FLEXIBLE ELEMENT
(FR) CELLULE DE MEMOIRE FLASH A ELEMENT FLEXIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A memory element for a flash memory comprises a cantilever element (8) made from electrically conductive material and having a stable position, an electrically conductive floating gate (6) for storing charge, and means (10) for urging the element from its stable position towards a position in which it enables the transfer of charge to the floating gate.
(FR)L'invention concerne un élément de mémoire pour mémoire flash comprenant un élément enfichable (8) fait d'une matière conductrice et à position stable, une grille flottante (6) pour stocker la charge, et des organes (10) servant à diriger l'élément de sa position stable vers une position permettant le transfert de charge vers la grille flottante.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)