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1. (WO2000055917) MODULE A SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055917    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/000595
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 01.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.08.2000    
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01), H05K 3/40 (2006.01)
Déposants : EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH & CO. KG [DE/DE]; Max-Planck-Strasse 5, D-59581 Warstein-Belecke (DE) (Tous Sauf US).
FERBER, Gottfried [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PELMER, Reimund [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : FERBER, Gottfried; (DE).
PELMER, Reimund; (DE)
Mandataire : WESTPHAL, MUSSGNUG & PARTNER; Mozartstrasse 8, 80336 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 11 953.8 17.03.1999 DE
Titre (DE) LEISTUNGSHALBLEITERMODUL
(EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE A SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Leistungshalbleitermodul, bestehend aus einem Kunststoffgehäuse (1), mehreren Anschlußelementen (7) für äußere Haupt- und Steueranschlüsse, zumindest einem Keramiksubstrat (4), das zumindest auf seiner Oberseite (5) mit einer strukturierten Metallisierung (8) versehen und mit Halbleiterbauelementen (13) bestückt ist und in die Bodenöffnung des Kunststoffgehäuses eingesetzt ist, vorgestellt. Dabei wird die Verbindung zwischen den Anschlußelementen für die äußeren Haupt- und Steueranschlüsse dadurch realisiert, daß ein Teil der strukturierten Metallisierung auf den Keramiksubstraten abgelöst ist und zu einer Greiflasche (10) senkrecht nach oben gebogen ist, so daß die Greiflasche mit einem Anschlußelement über eine Hartlöt (18) oder eine Schweißverbindung verbunden werden kann. Durch diese Maßnahme wird eine hervorragende Stabilität gegenüber thermischen Wechselbelastungen gewährleistet.
(EN)The invention relates to a power semiconductor module comprised of a plastic housing (1), a plurality of terminal elements (7) for external main terminals and control terminals, at least one ceramic substrate (4) which is provided at least on the top side (5) thereof with a structured metallization (8), which is fitted with semiconductor components (13) and which is inserted into the bottom opening of the plastic housing. The terminal elements for the outer main terminals and control terminals are connected by detaching a part of the structured metallization from the ceramic substrates and bending it vertically upward to form a holding tongue (10) so that the holding tongue can be connected to a terminal element by means of a hard solder (18) or a welded connection. These measures ensure an excellent stability with regard to thermal alternating stresses.
(FR)L'invention concerne un module à semiconducteur de puissance comprenant un boîtier en matière plastique (1), plusieurs éléments de connexion (7) destinés à des bornes principales et à des bornes de commande extérieures, ainsi qu'au moins un substrat en céramique (4). Ce dernier présente une métallisation structurée (8) au moins sur son côté supérieur (5), est pourvu de composants à semiconducteur (13) et est introduit dans l'ouverture du fond du boîtier en matière plastique. Afin d'établir la connexion entre les éléments de connexion pour les bornes principales et les bornes de commande extérieures, une partie de la métallisation structurée est détachée du substrat en céramique et cintrée perpendiculairement vers le haut pour former une languette de préhension (10), de sorte que cette dernière puisse être reliée à un élément de connexion par l'intermédiaire d'un brasage fort (18) ou d'un assemblage par soudure. Cette opération permet d'obtenir une excellente stabilité aux contraintes thermiques alternées.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)