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1. (WO2000055911) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS REPARTIS RELIES EN PARALLELE, DISPOSES A L'ECART LES UNS DES AUTRES POUR UNE MEILLEURE REPARTITION THERMIQUE AVEC MOINDRE DISSIPATION D'ENERGIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055911    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/006197
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 09.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.10.2000    
CIB :
H05B 39/00 (2006.01), H05B 39/08 (2006.01), H05K 7/20 (2006.01)
Déposants : LUTRON ELECTRONICS CO., INC. [US/US]; 7200 Suter Road, Coopersburg, PA 18036-1299 (US)
Inventeurs : JACOBY, Elliot, G., Jr.; (US).
WEIGHTMAN, Russell; (US).
BILLINGTON, Scott, A.; (US).
SPIRA, Joel; (US)
Mandataire : DUJMICH, Louis, C.; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP, 1180 Avenue of the Americas, New York, NY 10036 (US).
FELDKAMP, Rainer; Garmischer Straße 4, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
09/268,209 15.03.1999 US
Titre (EN) DISTRIBUTED PARALLEL CONNECTED SEMICONDUCTOR DEVICES SPACED FOR IMPROVED THERMAL DISTRIBUTION AND HAVING REDUCED POWER DISSIPATION
(FR) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS REPARTIS RELIES EN PARALLELE, DISPOSES A L'ECART LES UNS DES AUTRES POUR UNE MEILLEURE REPARTITION THERMIQUE AVEC MOINDRE DISSIPATION D'ENERGIE
Abrégé : front page image
(EN)A single triac on a heat sink is replaced by a plurality of lower rated current, parallel connected triacs for carrying the same total current as the single triac. The plural devices are spaced apart as far as possible, within the confines of an insulation back cover, to reduce the thermal gradient across the heat sink and to reduce the input thermal power to the heat sink. Thermally conductive compressive sheets thermally couple the flat heat sink to a face plate on the side of the heat sink opposite to the side receiving the triacs.
(FR)Sur un puits thermique, on remplace un triac unique par une pluralité de triacs de moindre intensité nominale reliés en parallèle, mais supportant ensemble la même intensité totale que le triac unique. Ces triacs sont espacés le plus possible les uns des autres dans les limites du couvercle arrière isolant, ce qui réduit le gradient thermique au niveau du puits thermique, et l'énergie thermique entrant dans ledit puits. Des feuilles de compression relient thermiquement le puits thermique plat à une plaque frontale situé sur le côté du puits opposé à celui qui reçoit les triacs.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)