WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2000055901) PROCEDE DE REMPLISSAGE DES ESPACES SUR UNE PLAQUETTE A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055901    N° de la demande internationale :    PCT/EP2000/001763
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 01.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.10.2000    
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR 300 GMBH & CO. KG [DE/DE]; Königsbrücker Strasse 180, D-01099 Dresden (DE) (Tous Sauf US).
KIRCHHOFF, Markus [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KIRCHHOFF, Markus; (DE)
Représentant
commun :
EPPING-HERMANN & FISCHER; P.O. Box 12 10 26, D-80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
99105494.1 17.03.1999 EP
Titre (EN) METHOD FOR FILLING GAPS ON A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE DE REMPLISSAGE DES ESPACES SUR UNE PLAQUETTE A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method for filling gaps (1) on a semiconductor wafer (2) with a dielectric material (3, 8) employs a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process with a temperature in the range of 500 to 700°C. As a result of deposition gaps for e.g. shallow trench isolation or premetal dielectric techniques are filled homogeneously without any voids. The deposition may be improved with the application of a second radio frequency signal.
(FR)L'invention concerne un procédé de remplissage des espaces (1) sur une plaquette à semi-conducteur (2) pourvue d'une matière diélectrique (3, 8). Ce procédé fait appel à un procédé de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma, à une température comprise entre 500 et 700 °C. Suite au procédé de dépôt, les espaces disposés pour des techniques d'isolation à tranchée peu profondes ou des techniques diélectriques prémétalliques sont remplis de façon homogène et sans création de vides. Le procédé de dépôt peut être amélioré par l'application d'un second signal radiofréquence.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)