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1. (WO2000055898) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCEDE DE FABRICATION, CARTE DE CIRCUIT ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055898    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/001387
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 08.03.2000
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Déposants : SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163-0811 (JP) (Tous Sauf US).
HANAOKA, Terunao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Haruki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOZAWA, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HANAOKA, Terunao; (JP).
ITO, Haruki; (JP).
NOZAWA, Kazuhiko; (JP)
Mandataire : INOUE, Hajime; 2nd Floor, Ogikubo TM Bldg., 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 167-0051 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/69420 16.03.1999 JP
11/69421 16.03.1999 JP
11/73043 18.03.1999 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURE THEREOF, CIRCUIT BOARD, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCEDE DE FABRICATION, CARTE DE CIRCUIT ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprises a semiconductor element (10) with a plurality of electrodes (12), a wiring pattern (20) connected electrically with the electrodes (12), a plurality of insulating layers (41, 42, 43), and a plurality of external terminals (30) connected electrically with the wiring pattern (20). The insulating layers (41, 42, 43) each include a plurality of holes (44, 46, 48), which are communicating with one another to form an opening (40). The external terminals (30) are located in the respective openings (40). The second hole (46) formed in the second insulating layer (42) is larger than the first hole (44) formed in the first insulating layer (41) under the second layer.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur comprenant un élément (10) doté d'une pluralité d'électrodes (12), un tracé conducteur (20) connecté électriquement aux électrodes (12), une pluralité de couches (41, 42, 43) isolantes et une pluralité de terminaux externes (30) connectés électriquement au tracé conducteur (20). Les couches isolantes (41, 42, 43) comprennent chacune une pluralité de trous (44, 46, 48) communiquant entre eux de façon à former une ouverture (40). Les terminaux (30) externes sont placés dans les ouvertures (40) respectives. Le second trou (46) de la seconde couche isolante (42) est plus grand que le premier (44) formé dans la première couche (41) isolante sous la seconde couche.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)