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1. (WO2000055891) DISPOSITIF POUR EXPOSITION, PROCEDE D'EXPOSITION ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055891    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/000604
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 04.02.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.10.2000    
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8331 (JP) (Tous Sauf US).
SHIRAISHI, Naomasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIRAISHI, Naomasa; (JP)
Mandataire : TATEISHI, Atsuji; Paseo Building 5th Floor, 4-20, Haramachida 5-chome, Machida-shi, Tokyo 194-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/66736 12.03.1999 JP
Titre (EN) EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF POUR EXPOSITION, PROCEDE D'EXPOSITION ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)Before a mask (R) is loaded in a mask chamber (15) filled with a specific gas containing impurities whose concentration is less than a first concentration (e.g., 1 PPb) and having a characteristic that the gas absorbs a little the exposure light, the mask (R) is temporally loaded in a preliminary chamber (R1), and the gas in the preliminary chamber (R1) is replaced with a specific gas containing oxygen whose concentration is one (e.g., 10 ppb) higher than the first concentration by means of a gas replacing mechanism (23, 24). Therefore when the mask (R) for exposure is loaded in the mask chamber thereafter, external impurities (including absorbing gases) hardly mix into the optical path inside the mask chamber. When a wafer (W) is replaced, gas replacement in the preliminary chamber (W1) is similarly carried out.
(FR)Avant qu'un masque (R) soit chargé dans une chambre pour masques (15) remplie d'un gaz spécifique qui contient des impuretés dont la concentration est inférieure à une première concentration (par exemple, 1 ppb) et qui se caractérise en ce qu'il absorbe un peu la lumière d'exposition, le masque (R) en question est temporairement chargé dans une chambre préliminaire (R1) et le gaz contenu dans cette chambre préliminaire est remplacé par un gaz spécifique contenant de l'oxygène dont la concentration est supérieure (par exemple, 10 ppb) à la première concentration au moyen d'un mécanisme de remplacement du gaz (23, 24). De ce fait, lorsque le masque (R) pour exposition est ultérieurement chargé dans la chambre pour masques, les impuretés externes (et notamment des gaz absorbants) se fixent difficilement sur le chemin optique à l'intérieur de la chambre pour masques. Lorsqu'une plaquette (W) est remplacée, le remplacement du gaz est effectué de manière similaire dans la chambre préliminaire (W1).
États désignés : AE, AL, AU, BA, BB, BG, BR, CA, CN, CR, CU, CZ, DM, EE, GD, GE, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KP, KR, LC, LK, LR, LT, LV, MA, MG, MK, MN, MX, NO, NZ, PL, RO, SG, SI, SK, TR, TT, UA, US, UZ, VN, YU, ZA.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)