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1. (WO2000055890) SYSTEME D'EXPOSITION ET PROCEDE DE MESURE D'ABERRATION POUR SON SYSTEME OPTIQUE DE PROJECTION, ET PROCEDE DE PRODUCTION POUR CE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055890    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/001643
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 17.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.10.2000    
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; Fuji Building, 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8331 (JP) (Tous Sauf US).
ISHIKAWA, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ISHIKAWA, Jun; (JP)
Mandataire : ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome, Gifu-shi, Gifu 500-8731 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/73657 18.03.1999 JP
Titre (EN) EXPOSURE SYSTEM AND ABERRATION MEASUREMENT METHOD FOR ITS PROJECTION OPTICAL SYSTEM, AND PRODUCTION METHOD FOR DEVICE
(FR) SYSTEME D'EXPOSITION ET PROCEDE DE MESURE D'ABERRATION POUR SON SYSTEME OPTIQUE DE PROJECTION, ET PROCEDE DE PRODUCTION POUR CE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)An exposure system capable of measuring quickly and accurately an aberration of a projection optical system, wherein a measuring light source (33) for emitting a measuring light (RL) having a power smaller than that of an exposure light (EL) is provided. A pinhole-carrying test reticle is mounted on a reticle stage (RST) and the measuring light is passed through the pinhole to produce a spherical wave in the measuring light (RL). This spherical wave-carrying measuring light is passed through the projection optical system (PL) and received by a wave aberration measuring unit (35) of a Jack-Hartman method disposed on a wafer stage (WST) to determine an aberration (wave aberration) of the projection optical system (PL) at a wave aberration detector (40). Based on the measured wave aberration, image characteristics of the projection optical system (PL) is adjusted.
(FR)La présente invention concerne un système d'exposition capable de mesurer rapidement et avec précision une aberration d'un système optique de projection, une source de lumière de mesure (33) qui émet une lumière de mesure (RL) présentant une puissance inférieure à celle d'une lumière d'exposition (EL). A ce effet, on monte un réticule test à trou d'épingle sur un plateau de réticule (RST), et on fait passer la lumière par le trou d'épingle pour produire une onde sphérique dans la lumière de mesure (RL). On fait passer cette lumière de mesure porteuse d'onde sphérique par le système optique de projection (PL), et on la fait recevoir par un dispositif de mesure d'aberration d'onde (35) selon un procédé Jack-Hartam placé sur un plateau de tranche (WST), pour qu'un détecteur d'aberration d'onde (40) détermine une aberration (aberration d'onde) du système optique de projection (PL). Sur la base de l'aberration d'onde mesurée, on règle les caractéristiques du système optique de projection (PL).
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)