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1. (WO2000055889) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR AVEC ZONE DE LIAISON TRANSPARENTE POUR DES APPLICATIONS UTILISANT DU SILICIURE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055889    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/006346
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 10.03.2000
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : SCOTT, Gregory, S.; (US).
DE MUIZON, Emmanuel; (US).
MANLEY, Martin, H.; (US)
Mandataire : VAN DER VEER, Johannis, Leendert; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
09/271,737 18.03.1999 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TRANSPARENT LINK AREA FOR SILICIDE APPLICATIONS AND FABRICATION THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR AVEC ZONE DE LIAISON TRANSPARENTE POUR DES APPLICATIONS UTILISANT DU SILICIURE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Useful to inhibit reverse engineering, semiconductor devices and methods therefor include formation of two active regions over a substrate region in the semiconductor device. According to an example embodiment, a dopable link, or region, between two heavily doped regions can be doped to achieve a first polarity type, with the two heavily doped regions of the opposite polarity. If dictated by design requirements, the dopable region is adapted to conductively link the two heavily doped regions. A dielectric is formed over the dopable region and extends over a portion of each of the two heavily doped regions to inhibit silicide formation over edges of the dopable region. In connection with a salicide process, a silicide is then formed adjacent the dielectric and formed over another portion of the two heavily doped regions.
(FR)L'invention concerne des dispositifs à semiconducteur et des procédés d'utilisation de ceux-ci, permettant d'inhiber toute rétrotechnique, ces dispositifs présentant deux zones actives situées sur une zone substrat dans chacun de ces dispositifs à semiconducteur. Selon un mode de réalisation de cette invention, une liaison ou une zone pouvant être dopée, située entre deux zones fortement dopées, peut être dopée de manière à obtenir un premier type de polarité, les deux zones fortement dopées étant de polarité opposée. Cette zone pouvant être dopée peut, si la structure du dispositif l'exige, être conçue de manière à lier de manière conductrice les deux zones fortement dopées. Un diélectrique, formé au-dessus de ladite zone pouvant être dopée, s'étend par ailleurs sur une partie de chacune des deux zones fortement dopées, afin d'inhiber la formation de siliciure sur les bords de la zone pouvant être dopée. Enfin, en connexion avec un procédé de traitement au siliciure autoaligné, on forme un siliciure à proximité du diélectrique et sur une autre partie des deux zones fortement dopées.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)