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1. (WO2000055885) SONDE OPTIQUE SANS CONTACT A UTILISER EN METROLOGIE DE TRAITEMENT DE SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055885    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/006879
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 15.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.09.2000    
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : VANDERBILT UNIVERSITY [US/US]; Suite 210, 1207 17th Avenue South, Nashville, TN 37212 (US) (Tous Sauf US).
TOLK, Norman, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
LUEPKE, Gunter [DE/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Wei [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TOLK, Norman, H.; (US).
LUEPKE, Gunter; (US).
WANG, Wei; (US)
Mandataire : FURLONG, Randall, C.; Williams, Morgan & Amerson, P.C., 7676 Hillmont, Suite 250, Houston, TX 77040 (US)
Données relatives à la priorité :
60/125,002 18.03.1999 US
Titre (EN) CONTACTLESS OPTICAL PROBE FOR USE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING METROLOGY
(FR) SONDE OPTIQUE SANS CONTACT A UTILISER EN METROLOGIE DE TRAITEMENT DE SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method and/or device (285) for determining first and second band offsets (100, 110) at a semiconductor/dielectric heterointerface (115), which includes the semiconductor/dielectric heterointerface (115) exposed to incident photons (205) from a light source (200); a detector (275, 280) for generating a signal by detecting emitted photons (260, 265) from the semiconductor/dielectric heterointerface (115); and an element (310) for changing the energy of incident photons (205) to monitor the first and second band offsets (100, 110).
(FR)La présente invention concerne un procédé et/ou dispositif (285) permettant de déterminer un premier et un second glissement de bande (100, 110) sur une hétérointerface semiconducteur/diélectrique (115), comprenant l'interface (115) exposée à un flux photonique incident (205) provenant d'une source lumineuse (200); un détecteur (275, 280) capable de gérer un signal en détectant les photons émis (260, 265) depuis l'hétérointerface semiconducteur/diélectrique (115); et enfin, un élément (310) capable de modifier l'énergie du flux photonique incident (205) de façon à ce que l'on puisse vérifier le premier et le second glissement de bande (100, 110).
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)