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1. (WO2000055608) PROCEDE ET APPAREIL POUR L'ANALYSE DE LA COMPOSITION D'UN MATERIAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055608    N° de la demande internationale :    PCT/GB2000/000951
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 15.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.10.2000    
CIB :
G01N 23/207 (2006.01)
Déposants : QINETIQ LIMITED [GB/GB]; 85 Buckingham Gate, London SW1 6TD (GB) (Tous Sauf US).
WALLIS, David, John [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
KEIR, Andrew, Murray [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
EMENY, Martin, Trevor [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : WALLIS, David, John; (GB).
KEIR, Andrew, Murray; (GB).
EMENY, Martin, Trevor; (GB)
Mandataire : BOWDERY, A.O.; Qinetiq Limited, IP Formalities, A4 Bldg., Cody Technology Park, Ively Road, Farnborough, Hampshire GU14 0LX (GB)
Données relatives à la priorité :
9905953.7 16.03.1999 GB
0000392.1 11.01.2000 GB
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR THE ANALYSIS OF MATERIAL COMPOSITION
(FR) PROCEDE ET APPAREIL POUR L'ANALYSE DE LA COMPOSITION D'UN MATERIAU
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for analysing the composition of a semiconductor material (3) comprising irradiating the material with energy from an energy source (1) which energy is diffracted from the material, detecting one or more portions of the diffracted energy, and analysing the or each detected portion to obtain a parameter indicative of the intensity of the or each portion. The or each portion of the diffracted energy detected may be a quasi-forbidden reflection diffracted from the material, e.g. may be a (002) reflection diffracted from the material, or a (006) reflection. The detection of the or each portion of the diffracted energy may take place at one or more detection angles (9), or at all angles of reflection/transmission of the diffracted energy source, or at a range of angles around one or more detection angles. The energy source may comprise a beam of x-rays produced by an x-ray tube (2), and one or more detectors (4) may be used to detect the or each portion of the diffracted energy.
(FR)L'invention concerne un procédé pour l'analyse de la composition d'un matériau semi-conducteur (3) consistant à irradier le matériau par une énergie provenant d'une source d'énergie (1), ladite énergie étant diffractée par le matériau, à détecter une ou plusieurs portions de l'énergie diffractée, et à analyser la/ou chaque portion détectée de manière à obtenir un paramètre indicatif de ladite portion. La portion de l'énergie diffractée détectée peut être une réflexion quasi-interdite, diffractée par le matériau, par exemple, une réflexion (002) diffractée par le matériau, ou une réflexion (006). La détection de chaque portion d'énergie diffractée peut se faire à un ou plusieurs angles de détection (9), ou à tous les angles de réflexion/transmission de la source d'énergie diffractée, ou à une gamme d'angles voisine d'un ou plusieurs angles de détection. La source d'énergie peut comprendre un faisceau de rayons X généré par un tube à rayons X (2), cependant qu'un ou plusieurs détecteurs (4) peuvent être utilisés pour détecter la/ou chaque portion d'énergie diffractée.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)