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1. (WO2000055398) TIRAGE DE CRISTAUX, FORMATION D'UNE STRUCTURE FINE DE SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET SYSTEME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055398    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/001688
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 17.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.10.2000    
CIB :
C30B 23/02 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 545-8522 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAHASHI, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOMOMURA, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWANISHI, Hidenori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAHASHI, Koji; (JP).
TOMOMURA, Yoshitaka; (JP).
KAWANISHI, Hidenori; (JP)
Mandataire : YAMAMOTO, Shusaku; Fifteenth Floor, Crystal Tower, 2-27, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-6015 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/72886 18.03.1999 JP
Titre (EN) METHOD OF CRYSTAL GROWTH, METHOD OF FORMING FINE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SYSTEM
(FR) TIRAGE DE CRISTAUX, FORMATION D'UNE STRUCTURE FINE DE SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET SYSTEME
Abrégé : front page image
(EN)A method of crystal growth for producing a compound crystal material containing about several percentages nitrogen, such as a compound crystal semiconductor material comprising one or more Group III elements, nitrogen, and one or more Group V elements other than nitrogen, typically GaInNAs, which comprises conducting crystal growth under such conditions that a nitrogen source is utilized at a high efficiency. The method, in which a compound crystal containing nitrogen as a component thereof is formed, is characterized by using ammonia (NH¿3?) as a nitrogen source and adding aluminum. The aluminum accelerates the decomposition/adsorption of the ammonia and thereby improves the efficiency of introduction of nitrogen into the crystal.
(FR)L'invention concerne un procédé de tirage de cristaux permettant de produire un matériau cristallin composé contenant un certain pourcentage d'azote, par exemple un matériau semiconducteur de cristal composé comprenant au moins deux éléments du groupe III, et au moins un élément du groupe V autre que l'azote, le plus courant étant GaInNAs. Ce procédé consiste tirer des cristaux dans des conditions permettant une exploitation efficace d'une source d'azote. Ce procédé permettant de former un cristal composé contenant de l'azote est caractérisé par l'utilisation d'ammoniac (NH3) en tant que source d'azote et l'adjonction d'aluminium. L'aluminium accélère la décomposition/l'adsorption de l'ammoniac et améliore ainsi l'efficacité de l'introduction d'azote dans le cristal.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)