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1. (WO2000055395) DOPAGE AU STRONTIUM DU SILICIUM EN FUSION DANS UN PROCEDE DE CRISTALLOGENESE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/055395    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/006570
Date de publication : 21.09.2000 Date de dépôt international : 14.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.08.2000    
CIB :
C30B 15/00 (2006.01), C30B 15/10 (2006.01)
Déposants : MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 8, 501 Pearl Drive, St. Peters, MO 63376 (US)
Inventeurs : PHILLIPS, Richard, J.; (US).
KELTNER, Steven, J.; (US).
HOLDER, John, D.; (US)
Mandataire : HEJLEK, Edward, J.; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel, 16th floor, One Metropolitan Square, St. Louis, MO 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
60/124,400 15.03.1999 US
09/521,525 08.03.2000 US
Titre (EN) STRONTIUM DOPING OF MOLTEN SILICON FOR USE IN CRYSTAL GROWING PROCESS
(FR) DOPAGE AU STRONTIUM DU SILICIUM EN FUSION DANS UN PROCEDE DE CRISTALLOGENESE
Abrégé : front page image
(EN)A process for preparing strontium doped molten silicon for use in a single silicon crystal growing process is disclosed. Polysilicon is strontium and melted in a silica crucible. During melting and throughout the crystal growing process the strontium acts as a devitrification promoter and creates a layer of devitrified silica on the inside crucible surface in contact with the melt resulting in a lower level of contaminants in the melt and grown crystal.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation de silicium en fusion dopé au strontium à utiliser dans un procédé simple de croissance de cristal de silicium. Le polysilicium est dopé au strontium et fondu dans un creuset de silice. Pendant la fusion, et tout au long du procédé de cristallogénèse, le strontium agit comme un promoteur de dévitrification, créant une couche de silice dévitrifiée sur la surface intérieure du creuset en contact avec la matière fondue, le résultat étant un niveau de contaminants plus bas dans ladite matière et dans le cristal obtenu par croissance.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)