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1. (WO2000054378) LASER SEMI-CONDUCTEUR A EMISSION LATERALE POSSEDANT DES FILTRES D'INTERFERENCE ASYMETRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/054378    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/006098
Date de publication : 14.09.2000 Date de dépôt international : 09.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.09.2000    
CIB :
H01S 5/028 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/12 (2006.01), H01S 5/125 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01)
Déposants : TELCORDIA TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 445 South Street, Morristown, NJ 07960 (US)
Inventeurs : YOO, Sung, Joo; (US)
Mandataire : HEY, David, A.; c/o International Coordinator, Telcordia Technologies, Inc., 445 South Street, Room 1G112R, Morristown, NJ 07960-6438 (US)
Données relatives à la priorité :
09/264,997 09.03.1999 US
Titre (EN) EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER HAVING ASYMMETRIC INTERFERENCE FILTERS
(FR) LASER SEMI-CONDUCTEUR A EMISSION LATERALE POSSEDANT DES FILTRES D'INTERFERENCE ASYMETRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An edge-emitting laser (50) formed in an opto-electronic chip and having an emission wavelength determined by dielectric interference filters (52, 54) formed on opposing facets (56, 58) between which said laser (50) extends. The two interference filters (52, 54) are each respective Fabry-Perot etalon filter having two interference mirrors sandwiching a resonant dielectric cavity layer so that the filter manifests a flat reflectance spectrum with a deep reflectance notch in its center. The two filters (52, 54) are fabricated with wavelengths of their notches differing by about 2 %. The sum of the two filter transmittances (T1, T2) represents round-trip cavity loss and has a double-peaked shape with a sharp minimum between the two notch wavelengths. The wavelength of the sum minimum determines the lasing wavelength without the need for a Bragg grating being incorporated within the chip. The invention can be applied to multi-wavelength edge-emitting lasers including multiple laser stripes by applying filters of different wavelengths to the ends of different stripes.
(FR)L'invention concerne un laser (50) à émission latérale formé sur une puce optoélectronique et possédant une longueur d'onde d'émission déterminée par des filtres interférentiels diélectriques (52, 54) formé sur les facettes (56, 58) opposées entre lesquelles s'étend ledit laser (50). Les deux filtres (52, 54) interférentiels sont des filtres étalons Fabry-Perot possédant deux miroirs d'interférence enserrant une couche à cavité diélectrique résonante; de cette manière, le filtre manifeste un spectre de réflectance plat avec une profonde entaille de réflectance en son centre. Les deux filtres (52, 54) sont fabriqués de façon que les longueurs d'onde de leurs entailles diffèrent d'environ 2 %. La somme des transmittances (T1, T2) des deux filtres représente une perte de cavité aller-retour et possède une forme à deux crêtes avec un minimum étroit entre les longueurs d'onde des deux entailles. La longueur d'onde du minimum de la somme minimale détermine la longueur d'onde de lasage sans que l'on doive incorporer un réseau de Bragg dans la puce. L'invention peut s'appliquer à des lasers à émission latérale à longueurs d'ondes multiples comprenant des bandes de laser multiples grâce à l'application de filtres de longueurs d'onde différentes aux extrémités des bandes différentes.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)