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1. (WO2000054334) DISPOSITIF DE MEMOIRE MORTE A SEMI-CONDUCTEUR AVEC CONTACT DE SUBSTRAT ET CELLULE DE PONTAGE AU SILICIUM POLYCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/054334    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/000615
Date de publication : 14.09.2000 Date de dépôt international : 01.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.08.2000    
CIB :
H01L 27/112 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
MARTIN, Ekkart [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
OSTERMAYR, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MARTIN, Ekkart; (DE).
OSTERMAYR, Martin; (DE)
Mandataire : MÜLLER & HOFFMANN; Innere Wiener Str. 17, 81667 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 10 353.4 09.03.1999 DE
Titre (DE) HALBLEITER-FESTWERTSPEICHERANORDNUNG MIT SUBSTRATKONTAKT UND POLYSILIZIUM-ÜBERBRÜCKUNGSZELLE
(EN) SEMICONDUCTOR READ-ONLY MEMORY DEVICE WITH SUBSTRATE CONTACT AND POLYSILICON BRIDGING CELLS
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE MORTE A SEMI-CONDUCTEUR AVEC CONTACT DE SUBSTRAT ET CELLULE DE PONTAGE AU SILICIUM POLYCRISTALLIN
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Festwertspeicheranordnung, bei der für Substratkontakte (9) zur Wannenkontaktierung, Durchkontaktierungen (11) zwischen einer Metallbahn (7) und polykristallinem Silizium einer Wortleitung (WL) und Aufbruch (10) der Wortleitungen (WL) einheitliche Zwischenzellen (16) verwendet werden, die alternierend gespiegelt längs der Wortleitungen (WL) angeordnet sind.
(EN)The invention relates to a semiconductor read-only memory device, wherein uniform intermediate cells (16) are used for contacting the substrate contacts (9) with the sink contact, the throughplatings (11) between a metal track (7) and a polycrystalline silicon of a word line (WL) and the interruption (10) of the word line (WL), said cells being disposed in an alternatingly mirrored manner along the word lines (WL).
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire morte à semi-conducteur, dans laquelle on utilise des cellules intermédiaires (16) unitaires pour la connexion de contacts de substrat (9) avec la métallisation de puits, les métallisations de trous (11) entre une piste métallique (7) et le silicium polycristallin d'une ligne de transmission de mots (WL) et la séparation (10) des lignes de transmission de mots (WL), ces cellules intermédiaires étant disposées, de façon alternée et spéculaire, le long des lignes de transmission de mots (WL).
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)