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1. (WO2000054326) ISOLATION A TRANCHEE POUR COMPOSANTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/054326    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/000716
Date de publication : 14.09.2000 Date de dépôt international : 07.03.2000
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
UHLIG, Ines [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ZIMMERMANN, Jens [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEGE, Stephan [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : UHLIG, Ines; (DE).
ZIMMERMANN, Jens; (DE).
WEGE, Stephan; (DE)
Représentant
commun :
INFINEON TECHNOLOGIES AG; Zedlitz, Peter, Postfach 22 13 17, D-80503 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 10 886.2 11.03.1999 DE
Titre (DE) GRABENISOLATION FÜR ELEKTRISCH AKTIVE BAUELEMENTE
(EN) TRENCH ISOLATION FOR ELECTRICALLY ACTIVE COMPONENTS
(FR) ISOLATION A TRANCHEE POUR COMPOSANTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Grabenisolation für elektrisch aktive Bauelemente, insbesondere eine flache Grabenisolation (Shallow Trench Isolation) im z.B. kristallinen Silizium und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Grabenisolation. Das Ziel der Erfindung besteht im Abbau streßbedingter Spannungen. Erfindungsgemäß ist der Übergang des Grabens der Isolation zu den Seitenwänden abgerundet und zusätzlich mit getaperten Seitenwänden versehen, so daß der Winkel zwischen dem Boden und den Seitenwänden 75°< a < 90° beträgt.
(EN)The invention relates to a trench isolation for electrically active components, especially a flat trench isolation (shallow trench isolation) in e.g. crystalline silicon, and to a method for producing such a trench isolation. The aim of the invention is to reduce stress-related voltages. According to the invention, the junction between the trenches of the isolation and the side walls is rounded and is additionally provided with tapered side walls so that the angle between the bottom and the side walls is 75°$m(f)a<90°.
(FR)Cette invention concerne une isolation à tranchée pour composants électriquement actifs, notamment une isolation à tranchée plate ($i(shallow trench isolation)), dans du silicium cristallin par exemple, ainsi qu'un procédé de fabrication d'une telle isolation à tranchée. Le but de cette invention est d'éliminer des tensions engendrées par contrainte. Selon l'invention, la jonction entre la tranchée de l'isolation et les parois est arrondie et, de plus, munie de parois de raccord, de façon que l'angle $g(a) formé entre le fond et les parois est compris entre 75° et 90°.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)