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1. (WO2000054319) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN TRANSISTOR BIPOLAIRE ET UN CONDENSATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/054319    N° de la demande internationale :    PCT/EP2000/001336
Date de publication : 14.09.2000 Date de dépôt international : 18.02.2000
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : DEKKER, Ronald; (NL).
MAGNEE, Petrus, H., C.; (NL)
Mandataire : HOUBIERS, Ernest, E., M., G.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
99200724.5 10.03.1999 EP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A BIPOLAR TRANSISTOR AND A CAPACITOR
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN TRANSISTOR BIPOLAIRE ET UN CONDENSATEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor device comprising a poly-emitter transistor (1) and a capacitor (2). A base electrode (14), a first electrode (16, 37) and an emitter window (18) are formed at the same time in a first polysilicon layer (13) covered with an insulating layer (25). Subsequently, the side walls of the electrodes (20, 39) and the wall (23) of the emitter window are covered at the same time with insulating spacers (22, 44) by depositing a layer of an insulating material, followed by an anisotropic etching process. The base (8) of the transistor is formed by ion implantation. The emitter (9) is formed by diffusion, from an emitter electrode (30) formed in a second polysilicon layer. Preferably, the first electrode of the capacitor consists of mutually connected strips (37).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprenant un transistor poly-émetteur (1) et un condensateur (2). Une électrode de base (14), une première électrode (16, 37) et un fenêtre d'émetteur (18) sont formées en même temps dans une première couche de polysilicium (13) recouverte d'une couche isolante (25). Les parois latérales des électrodes (20, 39) et la paroi (23) de la fenêtre d'émetteur sont ensuite recouvertes en même temps d'espaceurs isolants (22, 44) par dépôt d'une couche de matériau isolant, suivi d'un procédé de gravure anisotrope. La base (8) du transistor est formée par implantation d'ions. L'émetteur (99 est formé par diffusion, depuis une électrode émettrice (30) formée dans une deuxième couche de polysilicium. De préférence, la première électrode du condensateur consiste en bandes (37) connectées les unes aux autres.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)