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1. (WO2000054318) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE MICROELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/054318    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/000786
Date de publication : 14.09.2000 Date de dépôt international : 10.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.09.2000    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.Martin-Srasse 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
WENDT, Hermann [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FRITSCH, Elke [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STENGL, Reinhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HOENLEIN, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHWARZL, Siegfried [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BEITEL, Gerhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WENDT, Hermann; (DE).
FRITSCH, Elke; (DE).
STENGL, Reinhard; (DE).
HOENLEIN, Wolfgang; (DE).
SCHWARZL, Siegfried; (DE).
BEITEL, Gerhard; (DE)
Mandataire : DOKTER, Eric-Michael; Viering, Jentschura & Partner, P.O. Box 221443, D-80504 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 11 150.2 12.03.1999 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROELEKTRONISCHEN STRUKTUR
(EN) METHOD FOR PRODUCING A MICROELECTRONIC STRUCTURE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE MICROELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Struktur vorgeschlagen, bei dem eine Schichtstruktur (30), die ein Substrat (5) teilweise bedeckt und zumindest eine bis zu einer Seitenwand (35) der Schichtstruktur (30) reichende erste leitfähige Schicht (15, 20) aufweist, mit einer zweiten leitfähigen Schicht (45) bedeckt wird. Die zweite leitfähige Schicht (45) wird nachfolgend weitestgehend mit einem Ätzverfahren mit physikalischem Abtrag zurückgeätzt, wobei sich abgetragenes Material an der Seitenwand (35) der Schichtstruktur (30) ablagert. Das abgelagerte Material bildet an der Seitenwand (35) eine Schutzschicht (60), durch die die erste leitfähige Schicht (15, 20) vor einem Sauerstoffangriff weitestgehend geschützt werden soll.
(EN)The invention relates to a method for producing a microelectronic structure. A layer structure (30) partially covers a substrate (5) and is provided with at least one first conductive layer (15, 20) which extends to a side wall (35) of the layer structure (30). Said layer structure (30) is covered by a second conductive layer (45) that is subsequently etched back to the greatest possible extend by means of an etching process involving physical ablation, whereby ablated material is deposited on the side wall (35) of the layer structure (30). The ablated material forms a protective layer (60) on the side wall (35). The first conductive layer (15, 20) is protected from an oxygen attack by said protective layer (60) to the greatest possible extend.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une structure microélectronique. Une structure stratifiée (30) recouvre partiellement un substrat (5) et est pourvue d'au moins une couche conductrice (15, 20) qui s'étend jusqu'à une paroi latérale (35) de ladite structure stratifiée (30). Cette structure stratifiée (30) est recouverte d'une seconde couche conductrice (45) qui est ensuite enlevée dans la plus large mesure selon un procédé d'attaque impliquant une ablation physique, le matériau ainsi enlevé étant déposé sur la paroi latérale (35) de la structure stratifiée (30). Le matériau ainsi déposé forme une couche protectrice (60) sur la paroi latérale (35), laquelle doit protéger, dans la plus large mesure, la première couche conductrice (15, 20) contre une agression par l'oxygène.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)