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1. (WO2000054312) TECHNOLOGIE DE SYSTEMES MICRO-ELECTROMECANIQUES AVEC UTILISATION DE PARYLENE COMPATIBLE AVEC UN CIRCUIT INTEGRE ET SON APPLICATION DANS DES DETECTEURS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/054312    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/006230
Date de publication : 14.09.2000 Date de dépôt international : 10.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.10.2000    
CIB :
B81B 3/00 (2006.01)
Déposants : CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 East California Boulevard, Mail Code 201-85, Pasadena, CA 91125 (US) (Tous Sauf US).
JIANG, Fukang [CN/US]; (US) (US Seulement).
HAN, Zhigang [CN/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Xuan-Qi [CN/US]; (US) (US Seulement).
TAI, Yu-Chong [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JIANG, Fukang; (US).
HAN, Zhigang; (US).
WANG, Xuan-Qi; (US).
TAI, Yu-Chong; (US)
Mandataire : HARRIS, Scott, C.; Fish & Richardson PC, 4350 La Jolla Village Drive, Suite 500, San Diego, CA 92122 (US)
Données relatives à la priorité :
60/124,247 12.03.1999 US
Titre (EN) IC-COMPATIBLE PARYLENE MEMS TECHNOLOGY AND ITS APPLICATION IN INTEGRATED SENSORS
(FR) TECHNOLOGIE DE SYSTEMES MICRO-ELECTROMECANIQUES AVEC UTILISATION DE PARYLENE COMPATIBLE AVEC UN CIRCUIT INTEGRE ET SON APPLICATION DANS DES DETECTEURS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)A combined IC/Mems process forms the IC parts first, and then forms the MEMS parts (110). One option forms a parylene overlayer, then forms a cavity under the parylene overlayer.
(FR)L'invention concerne un procédé combiné circuit intégré/systèmes micro-électromécaniques consistant à former d'abord la partie circuit intégré, puis la partie systèmes micro-électromécaniques (110). On peut éventuellement former une couche supérieure de parylène, puis une cavité sous la couche supérieure de parylène.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)