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1. (WO2000054159) PROCEDE ET SYSTEME DE RAFRAICHISSEMENT SELECTIF DE MEMOIRE DRAM, EN VUE DE REDUIRE LA CONSOMMATION DE COURANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/054159    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/025503
Date de publication : 14.09.2000 Date de dépôt international : 29.10.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.09.2000    
CIB :
G11C 11/406 (2006.01)
Déposants : PICOTURBO INC. [US/US]; 4699 Old Ironsides Drive Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : SONG, Seungyoon, Peter; (US)
Mandataire : SAWYER, Joseph, A., Jr.; Sawyer Law Group LLP P.O. Box 51418 Palo Alto, CA 94303 (US)
Données relatives à la priorité :
09/266,072 10.03.1999 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR SELECTIVE DRAM REFRESH TO REDUCE POWER CONSUMPTION
(FR) PROCEDE ET SYSTEME DE RAFRAICHISSEMENT SELECTIF DE MEMOIRE DRAM, EN VUE DE REDUIRE LA CONSOMMATION DE COURANT
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for selective refresh for a memory array (12) is disclosed. The method and system comprises a plurality of valid bits, each of the valid bits being associated with a row of the memory device; and detecting when data access is performed within a row of the device. The method and system further comprises setting the associated valid bit, the setting of the associated valid bit providing an indication that the row does not need to be refreshed for the refresh period. By providing the valid bits in the refresh controller (24) and associating them with a row of the memory array then if a cell is written or read at least once a duration equivalent to a refresh period, then the cells do not need to be refreshed. When a DRAM cell is accessed (read or written), its charge is fully restored so that it does not need refresh for a duration equivalent to a refresh interval. Accordingly, through the use of the present invention power consumption is significantly reduced.
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé et à un système de rafraîchissement sélectif d'une mémoire matricielle (12), qui utilisent plusieurs bits valides, qui sont associés chacun à une rangée de la mémoire, ledit procédé consistant à détecter ensuite le moment où l'accès aux données est effectué à l'intérieur d'une rangée de la mémoire, puis à mettre à une valeur le bit valide associé, afin de fournir une indication selon laquelle il n'est pas nécessaire de rafraîchir la rangée en question pendant la période de rafraîchissement. En fournissant les bits valides au contrôleur de rafraîchissement (24) et en les associant à une rangée de la mémoire matricielle, il n'est pas nécessaire de rafraîchir des cellules de la mémoire matricielle, si une cellule fait l'objet d'une opération d'écriture ou de lecture au moins une fois sur une durée équivalente à une période de rafraîchissement. Lors de l'accès à une cellule de la mémoire DRAM (lecture ou écriture), sa charge est complètement rétablie et son rafraîchissement n'est pas nécessaire sur une durée équivalente à un intervalle de rafraîchissement. Ainsi, grâce à ce système, la consommation de courant est considérablement réduite.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)