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1. (WO2000054061) CIRCUIT DE PROTECTION DU CHEMIN DU SIGNAL D'ESSAI BASSE TENSION A PROTECTION A LARGEUR DE BANDE ETENDUE CONTRE LES SURTENSIONS ET LES PHENOMENES TRANSITOIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/054061    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/003581
Date de publication : 14.09.2000 Date de dépôt international : 11.02.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.10.2000    
CIB :
H02H 9/04 (2006.01)
Déposants : FLUKE CORPORATION [US/US]; 6920 Seaway Boulevard, Everett, WA 98203 (US)
Inventeurs : ZOELLICK, Raymond, D.; (US)
Mandataire : KINDNESS, Gary, S.; Christensen O'Connor Johnson & Kindness PLLC, Suite 2800, 1420 Fifth Avenue, Seattle, WA 98101-2347 (US)
Données relatives à la priorité :
09/266,538 11.03.1999 US
Titre (EN) LOW-VOLTAGE TEST SIGNAL PATH PROTECTION CIRCUIT WITH EXTENDED BANDWIDTH, OVERVOLTAGE AND TRANSIENT PROTECTION
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION DU CHEMIN DU SIGNAL D'ESSAI BASSE TENSION A PROTECTION A LARGEUR DE BANDE ETENDUE CONTRE LES SURTENSIONS ET LES PHENOMENES TRANSITOIRES
Abrégé : front page image
(EN)An overvoltage and transient protection circuit with extended bandwidth is provided for the protection of a low voltage test signal path (210) such as a test signal path in a multimeter. The disclosed circuit maintains the integrity of a test signal (TS) (114) transmitted by the test signal path (210) by minimizing the effect that unwanted capacitive coupling would otherwise have on the frequency transmission capability of the circuit. During normal operation of the circuit, a test signal path isolation circuit (218) is held between the test signal (TS) (114) and an equivalent buffered guard signal (GS) (227). Held between these equivalent values (TS=GS), no (or minimal) current will be generated in the components of the test signal path isolation circuit (218) as a result of parasitic capacitance. The guard signal (65) (227) is used with guard traces (412) and guard planes (414) to isolate other parts of the test signal path in much the same way. During an overvoltage condition, the test signal path isolation circuit (218) conducts the current resulting from the overvoltage to a clamp circuit (222) that conducts to a voltage limiting circuit. The test signal path (210) may also include a frequency compensated protective resistance (320) that may be relatively high in value.
(FR)L'invention a trait à un circuit de protection contre les surtensions et les phénomènes transitoires présentant une largeur de bande étendue, pour la protection d'un chemin (210) de signal d'essai basse tension tel qu'un chemin de signal d'essai dans un multimètre. Le circuit de l'invention maintient l'intégrité d'un signal d'essai (ST) (114) transmis par le chemin (210) du signal d'essai par réduction au minimum des effets qu'un couplage capacitif indésirable pourrait autrement avoir sur la capacité de transmission de fréquence du circuit. Pendant le fonctionnement normal du circuit, un circuit d'isolation (218) du chemin du signal d'essai est maintenu entre le signal d'essai (TS) (114) et un signal de garde (GS) (227) équivalent séparé. Maintenu entre ces valeurs équivalentes (TS = GS), aucun courant (ou un courant minime) ne sera généré dans les composants du circuit d'isolation (218) du chemin de signal d'essai résultant d'une capacité parasite. Le signal de garde (65, 227) est utilisé avec des rubans de garde (412) et des plans de garde (414) afin d'isoler les autres parties du chemin du signal d'essai de la même manière. Pendant un état de surtension, le circuit d'isolation (218) du chemin du signal d'essai conduit le courant provenant de la surtension vers un circuit de blocage (222) conduisant à un circuit limiteur de tension. Le chemin (210) du signal d'essai peut aussi contenir une résistance de protection (320) compensée en fréquence pouvant avoir une valeur relativement élevée.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)