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1. (WO2000052805) DISPOSITIF DE LIMITATION DE SURTENSION TEMPORAIRE, DESTINE A DES SYSTEMES DE TRANSMISSION DE TENSIONS ELEVEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052805    N° de la demande internationale :    PCT/DK2000/000062
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 15.02.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.09.2000    
CIB :
H02J 3/18 (2006.01)
Déposants : NESA A/S [DK/DK]; Strandvejen 102, DK-2900 Hellerup (DK) (Tous Sauf US).
BOYD, Hugh, Allison [GB/DK]; (DK)
Inventeurs : BOYD, Hugh, Allison; (DK)
Représentant
commun :
BOYD, Hugh, Allison; Solbakken 1, DK-3520 Farum (DK)
Données relatives à la priorité :
PA 1999 00281 02.03.1999 DK
Titre (EN) TEMPORARY OVERVOLTAGE LIMITER FOR HIGH VOLTAGE TRANSMISSION SYSTEMS
(FR) DISPOSITIF DE LIMITATION DE SURTENSION TEMPORAIRE, DESTINE A DES SYSTEMES DE TRANSMISSION DE TENSIONS ELEVEES
Abrégé : front page image
(EN)The invention consists of a method to greatly enhance the Mvar absorption of a high voltage shunt reactor in response to excess Mvar suddenly appearing on a high voltage transmission system. A high voltage capacitor is connected in series with a shunt reactor in order to increase the reactor voltage, and thereby the Mvar absorption, as a function primarily of the capacitor value in combination with the dynamic impedance of the reactor in the saturated region of the reactor $i(V/I) characteristic. The new with the invention is that the Mvar absorption of the reactor is no longer dependent on the system voltage alone. The invention also includes a reactive device consisting of a multi phase shunt reactor with a capacitor connected in series with each phase.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à grandement accroître l'absorption en Mvar d'un réacteur shunt haute tension, en réponse à une tension en Mvar excessive se produisant soudainement dans un système de transmission haute tension. On a connecté en série un condensateur haute tension et un réacteur shunt, de manière à accroître la tension du réacteur, et donc l'absorption en Mvar, en fonction notamment de la valeur du condensateur, combinée à l'impédance dynamique du réacteur dans la région saturée de la caractéristique $i(V/I) du réacteur. La nouveauté de l'invention réside en ce que l'absorption en Mvar du réacteur ne dépend plus uniquement de la tension du système. L'invention concerne également un dispositif réactif se composant d'un réacteur shunt multiphase et d'un condensateur connecté en série à chaque phase.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)