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1. (WO2000052767) ENSEMBLE SUPRACONDUCTEUR HAUTE TEMPERATURE A COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052767    N° de la demande internationale :    PCT/CH2000/000103
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 24.02.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.07.2000    
CIB :
H01L 39/14 (2006.01), H01L 39/16 (2006.01)
Déposants : ABB RESEARCH LTD. [CH/CH]; Affolternstrasse 52, CH-8050 Zürich (CH) (Tous Sauf US).
CHEN, Makan [GB/CH]; (CH) (US Seulement).
PAUL, Willi [DE/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Makan; (CH).
PAUL, Willi; (CH)
Mandataire : WEIBEL, Beat; ABB Business Services Ltd., Intellectual Property (SLE-I), Haselstrasse 16/699, CH-5401 Baden (CH)
Données relatives à la priorité :
199 09 266.4 03.03.1999 DE
Titre (DE) DÜNNSCHICHT-HOCHTEMPERATURSUPRALEITERANORDNUNG
(EN) THIN-LAYER HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR ARRANGEMENT
(FR) ENSEMBLE SUPRACONDUCTEUR HAUTE TEMPERATURE A COUCHE MINCE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Dünnschicht-Hochtemperatursupraleiteranordnung mit einer supraleitenden Schicht (3) aus YBa¿2?Cu¿3?O¿7-x?. Als Schutz gegen die Bildung von Hot-Spots ist in gutem Wärmekontakt zur supraleitenden Schicht (3) ein elektrisch nichtleitender thermischer Bypass (5) mit einer überdurchschnittlichen Wärmeleitfähigkeit vorgesehen. Der thermische Bypass (5) ermöglicht die Verteilung von lokal erzeugter Joulscher Wärme auf einen grossen Bereich, verringert somit Temperaturgradienten in der supraleiterden Schicht (3) und favorisiert ein homogenes Quenchen. Der thermische Bypass (5) ist vorzugsweise eine Diamantschicht, welche mittels CVD (chemical vapor deposition) Techniken auf die supraleitende Schicht (3) aufgebracht wird.
(EN)The invention relates to a thin-layer high temperature superconductor arrangement comprising a superconducting layer (3) consisting of YBa¿2?Cu¿3?O¿7-x?. In order to prevent the formation of hot spots, an electrically non-conductive thermal bypass (5) having an above-average thermal conductivity is placed in good thermal contact with the superconducting layer (3). The thermal bypass (5) enables a distribution of locally generated Joule heating over a large region and, as a result, reduces temperature gradients in the superconducting layer (3) and favors a homogenous quenching. The thermal bypass (5) is preferably a diamond layer which can be applied to the superconducting layer (3) using CVD (chemical vapor deposition) techniques.
(FR)L'invention concerne un ensemble supraconducteur haute température à couche mince, qui comporte une couche (3) supraconductrice constituée de YBa¿2?Cu¿3?O¿7-x?. Cet ensemble comprend, en tant que protection contre la formation de points chauds, une couche de dérivation thermique (5), non electroconductrice, présentant une conductibilité thermique supérieure à la moyenne, qui est en bon contact thermique avec la couche supraconductrice (3). La couche de dérivation thermique (5) permet la répartition de l'effet Joule produit localement sur une grande zone, elle réduit ainsi les gradients de température dans la couche supraconductrice (3) et favorise une transition homogène. La couche de dérivation thermique (5) est de préférence une couche de diamant qui est appliquée sur la couche supraconductrice (3) selon des techniques de dépôt chimique en phase vapeur.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)