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1. (WO2000052751) LIGNE DE TRAITEMENT DE REMPLISSAGE SOUS-JACENT D'UN BOITIER DE CIRCUIT INTEGRE (C4) A CONNEXION DE PUCE A DEFORMATION REGULEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052751    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/003243
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 08.02.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.09.2000    
CIB :
H01L 21/56 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
COOK, Duane [US/US]; (US) (US Seulement).
RAMALINGAM, Suresh [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : COOK, Duane; (US).
RAMALINGAM, Suresh; (US)
Mandataire : MILLIKEN, Darren, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/262,132 03.03.1999 US
Titre (EN) A PROCESS LINE FOR UNDERFILLING A CONTROLLED COLLAPSE CHIP CONNECTION (C4) INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE
(FR) LIGNE DE TRAITEMENT DE REMPLISSAGE SOUS-JACENT D'UN BOITIER DE CIRCUIT INTEGRE (C4) A CONNEXION DE PUCE A DEFORMATION REGULEE
Abrégé : front page image
(EN)A high throughput process line and method for underfilling an integrated circuit that is mounted to a substrate. The process line includes a first dispensing station that dispenses a first underfill material onto the substrate and an oven which moves the substrate while the underfill material flows between the integrated circuit and the substrate. The process line removes flow time (wicking time) as the bottleneck for achieving high throughput.
(FR)Ligne de traitement à haut débit et procédé de remplissage sous-jacent d'un circuit intégré monté sur un substrat. La ligne de traitement comprend un premier poste de distribution distribuant un premier matériau de remplissage sous-jacent sur le substrat et un four déplaçant le substrat alors que le matériau de remplissage s'écoule entre le circuit intégré et le substrat. La ligne de traitement supprime le temps d'écoulement (temps de mèche) constituant le goulot afin d'obtenir un haut rendement.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)