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1. (WO2000052750) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE ZONE DE CORPS POUR UN ENSEMBLE TRANSISTOR MOS VERTICAL PRESENTANT UNE RESISTANCE AU DECLENCHEMENT SPECIFIQUE REDUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052750    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/000677
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 03.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.09.2000    
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
HIRLER, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KANERT, Werner [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GASSEL, Helmut [DE/US]; (US) (US Seulement).
STRACK, Helmut [AT/DE]; (DE) (US Seulement).
PAIRITSCH, Herbert [AT/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : HIRLER, Franz; (DE).
KANERT, Werner; (DE).
GASSEL, Helmut; (US).
STRACK, Helmut; (DE).
PAIRITSCH, Herbert; (AT)
Mandataire : WESTPHAL MUSSGNUG & PARTNER; Waldstrasse 33, 78048 Villingen-Schwenningen (DE)
Données relatives à la priorité :
199 09 563.9 04.03.1999 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BODYGEBIETES FÜR EINE VERTIKALE MOS-TRANSISTORANORDNUNG MIT VERRINGERTEM SPEZIFISCHEM EINSCHALTWIDERSTAND
(EN) METHOD FOR PRODUCING A BODY AREA FOR A VERTICAL MOS TRANSISTOR ARRAY WITH REDUCED SPECIFIC STARTING RESISTOR
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE ZONE DE CORPS POUR UN ENSEMBLE TRANSISTOR MOS VERTICAL PRESENTANT UNE RESISTANCE AU DECLENCHEMENT SPECIFIQUE REDUITE
Abrégé : front page image
(DE)Beschrieben wird Verfahren zur Herstellung eines Bodygebietes für eine vertikale MOS-Transistoranordnung in einem Halbleiterkörper, wobei das Bodygebiet mindestens eine Kanalregion umfaßt, die zwischen einem Sourcegebiet und einem Draingebiet angeordnet ist und an eine Gate-Elektrode angrenzt. Es erfolgt eine erste Implantation eines Dotiermaterials in den Halbleiterkörper, wobei das Implantationsmaximum der ersten Implantation innerhalb des Halbleiterkörpers von der Kanalregion (11) zurückgesetzt liegt. Weiter erfolgt zumindest eine zweite Implantation eines Dotiermaterials mit geringerer Dosis als die erste Implantation, wobei das Implantationsmaximum der zweiten Implantation innerhalb des Halbleiterkörpers unterhalb des Implantationsmaximums der ersten Implantation liegt. Anschließend wird eine Ausdiffusion des Dotiermaterials durchgeführt.
(EN)The invention relates to a method for producing a body area for a vertical MOS transistor array in a semiconductor body, wherein the body area has at least one channel region disposed between the source area and the drain area and borders on a gate electrode. A first implantation of doping material is effected in the semiconductor body, wherein the maximum of doping material of the first implantation is placed in the back part of the channel region (11) within the semiconductor body. At least a second implantation of doping material is then effected with a smaller dose than in the first implantation, wherein the maximum of doping material of the second implantation lies within the semiconductor body below the maximum of doping material of the first implantation. Subsequently, the doping material is diffused off.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de réaliser une zone de corps pour un ensemble transistor MOS vertical dans un corps semi-conducteur, la zone de corps comprenant au moins une région de canal qui est placée entre une zone de source et une zone de drain et qui est adjacente à une électrode de grille. On procède à une première implantation d'un matériau de dopage dans le corps semi-conducteur, le maximum de matériau implanté lors de cette première implantation étant situé à l'arrière de la région de canal (11), à l'intérieur du corps semi-conducteur. On procède ensuite au moins à une seconde implantation d'un matériau de dopage, avec une dose de matériau plus faible que lors de la première implantation, le maximum de matériau implanté lors de cette seconde implantation se trouvant, à l'intérieur du corps semi-conducteur, sous le maximum de matériau implanté lors de la première implantation. Ensuite on procède à une diffusion du matériau de dopage.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)