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1. (WO2000052747) PROCEDE ET SYSTEME PERMETTANT DE GRAVER DES SUBSTRATS DE FACON UNIFORME AU MOYEN D'UNE COMPOSITION DE GRAVURE CONTENANT UNE SOURCE D'IONS FLUORURE ET UNE SOURCE D'IONS HYDROGENE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052747    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/005484
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 02.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.09.2000    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : FSI INTERNATIONAL, INC. [US/US]; 322 Lake Hazeltine Drive, Chaska, MN 55318-1096 (US)
Inventeurs : CHRISTENSON, Kurt, K.; (US)
Mandataire : JORDAHL, Kimberly, S.; Faegre & Benson LLP, 90 South Seventh Street, 2200 Norwest Center, Minneapolis, MN 55402-3901 (US)
Données relatives à la priorité :
09/261,786 03.03.1999 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM TO UNIFORMLY ETCH SUBSTRATES USING AN ETCHING COMPOSITION COMPRISING A FLUORIDE ION SOURCE AND A HYDROGEN ION SOURCE
(FR) PROCEDE ET SYSTEME PERMETTANT DE GRAVER DES SUBSTRATS DE FACON UNIFORME AU MOYEN D'UNE COMPOSITION DE GRAVURE CONTENANT UNE SOURCE D'IONS FLUORURE ET UNE SOURCE D'IONS HYDROGENE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides methods and a system for uniformly etching substrates. Specifically, the method and system of the present invention provide for the non-immersive contact of the substrate to be etched with an etching composition comprising a fluoride ion source and a hydrogen ion source. By utilizing an etching composition comprising such elements, not only is the etching of traditional substrate materials, i.e., silicon oxide, improved, but the etching of substrate materials traditionally difficult to etch satisfactorily, i.e., silicon nitride, is made possible.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système permettant de graver des substrats de façon uniforme. Plus spécialement, le procédé et le système de l'invention permettent un contact non immersif du substrat à graver avec une composition de gravure contenant une source d'ions fluorure et une source d'ions hydrogène. Grâce à l'utilisation d'une composition de gravure contenant les éléments précités, la gravure de matières habituelles de substrats, c'est-à-dire l'oxyde de silicium, est non seulement améliorée mais la gravure de matières de substrats habituellement difficiles à graver de manière satisfaisante, c'est-à-dire le nitrure de silicium, est désormais rendue possible.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)